功率（KW）
50
100
160
250
500
1000
＞1000
頻率
10-1
10-1
8-1
6-1
2.5-0.5
1-0.5
1-0.2
溫度(攝氏度)
1250-1100特殊材質(zhì)如鉬，溫度可達(dá)1500攝氏度以上
直徑（mm）
10-2.5
10-30
15-40
15-80
50-100
80-100
＞100
加熱率（kg/h）
145
300
444
750
1500
3000
＞3000
電耗（KW.h/t）
＜360
1、中頻電源逆變可控硅水冷套內(nèi)斷水或散熱效果下降更換水冷套。有時觀察水冷套的出水量和壓力是足夠的，但經(jīng)常由于水質(zhì)問題，在水冷套的壁上附著一層水垢，由于水垢是一種導(dǎo)熱性級差的物體，雖然有足夠的水流量流過，但因?yàn)樗傅母綦x是其散熱效果大大降低。其判斷方法是：將功率運(yùn)行在較低于該過流值的功率下約十分鐘，迅速停機(jī)，停機(jī)后迅速用手觸摸可控硅元件的芯部，若感覺到燙手，則該故障是由此原因引起的。
2、槽路連接導(dǎo)線有接觸不良和斷線情況，檢查槽路連接導(dǎo)線，根據(jù)實(shí)際情況酌情處理。當(dāng)槽路連接導(dǎo)線有接觸不良或斷線情況時，功率升到一定值后會產(chǎn)生打火現(xiàn)象，影響了設(shè)備的正常工作，從而導(dǎo)致設(shè)備保護(hù)動作。有時因打火時會在可控硅兩端產(chǎn)生瞬時過電壓，如果過壓保護(hù)動作來不及，會燒壞可控硅元件。該現(xiàn)象經(jīng)常會出現(xiàn)過電壓、過電流同時動作。
3、負(fù)載對地絕緣降低，負(fù)載回路的絕緣降低，引起負(fù)載對地間打火，干擾了脈沖的觸發(fā)時間或在可控硅兩端形成高壓，燒壞可控硅元件。
4、中頻電源可控硅在反相關(guān)斷時，承受反向電壓的瞬時毛刺電壓過高;在中頻電源的主電路中，瞬時反相毛刺電壓是靠阻容吸收來吸收的。如果吸收電路中電阻、電容開路均會使瞬時反相毛刺電壓過高燒壞可控硅。在斷電的情況下用萬用表測量吸收電阻阻值、吸收電容容量，判斷是否阻容吸收回路出現(xiàn)故障。
5、脈沖觸發(fā)回路故障;在設(shè)備運(yùn)行時如果突然丟失觸發(fā)脈沖，將造成逆變開路，中頻電源輸出端產(chǎn)生高壓，燒壞可控硅元件。這種故障一般是逆變脈沖形成、輸出電路故障，可用示波器進(jìn)行檢查，也可能是逆變脈沖引線接觸不良，可用手搖晃導(dǎo)線接頭，找出故障位置。
6、設(shè)備在運(yùn)行時負(fù)載開路;當(dāng)設(shè)備正在大功率運(yùn)行時，如果突然負(fù)載處于開路狀態(tài)，將在輸出端形成高壓燒壞可控硅元件。
7、設(shè)備在運(yùn)行時負(fù)載短路;當(dāng)設(shè)備在大功率運(yùn)行時，如果負(fù)載突然處于短路狀態(tài)，將對可控硅有一個很大的短路電流沖擊，若過電流保護(hù)動作不及時保護(hù)，將燒壞可控硅元件。
8、保護(hù)系統(tǒng)故障(保護(hù)失靈);可控硅能否安全，主要是由保護(hù)系統(tǒng)來保證的，如果保護(hù)系統(tǒng)出現(xiàn)故障，設(shè)備稍有一點(diǎn)工作不正常，將危機(jī)到可控硅安全。所以，當(dāng)可控硅燒壞時對保護(hù)系統(tǒng)的檢查是必不可少的。
9、可控硅冷卻系統(tǒng)故障;可控硅在工作時發(fā)熱量很大，需要對其冷卻才能保證正常工作，一般可控硅的冷卻有兩種方式：一種是水冷，另一種是風(fēng)冷。水冷的應(yīng)用較為廣泛，風(fēng)冷一般只用于100KW以下的電源設(shè)備。通常采用水冷方式的中頻設(shè)備均設(shè)有水壓保護(hù)電路，但基本上都是總進(jìn)水的保護(hù)，若某一路出現(xiàn)水堵，是無法保護(hù)的。
10、電抗器故障;電抗器內(nèi)部打火造成逆變側(cè)的電流斷續(xù)，也會在逆變輸入側(cè)產(chǎn)生高壓燒壞可控硅。另外，如果在維修中更換了電抗器，而電抗器的電感量、鐵芯面積小于要求值，會使電抗器在大電流工作時，因飽和失去限流作用燒壞可控硅。
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