高頻機(jī)/工頻機(jī)
山特CASTLE系列 山特不間斷電源CASTLE 15K 山特UPS電源CASTLE 15KVA 15000VA
山特在線式UPS不間斷電源-山特UPS電源 輸入380V電壓 輸出220V 電壓 三進(jìn)單出
山特3C15KS 15KVA 15000VA 12000W 12KW 長(zhǎng)機(jī) 在線式 外接蓄電池 半小時(shí) 1小時(shí)
2小時(shí) 3小時(shí) 4小時(shí) 5小時(shí) 6小時(shí) 0.5H 1H 2H 3H 4H 5H 6H 30分鐘
60分鐘 90分鐘 120分鐘 180分鐘 30min 60min 90min 120min 180mim
12V-17AH蓄電池 12V-24AH蓄電池 12V-38AH蓄電池 12V-65AH蓄電池 12V-100AH
新聞:潮州伊頓UPS電源電話
不銹鋼強(qiáng)度高、耐腐蝕性強(qiáng)、不變色，是的造鎖材料;銅比較通用，機(jī)械性能優(yōu)越，價(jià)格較高;鎖具高品質(zhì)鋅合金堅(jiān)固耐磨，耐腐蝕性強(qiáng)，且容易成型，多用于中檔鎖。再次看鎖具表面處理(家裝監(jiān)理)表面處理大致分為電鍍、噴涂和著色三種，鎖具通過表面處理在產(chǎn)品表面形成一層致密保護(hù)膜，起到防腐和防銹的作用，讓鎖具更加美觀耐用。密保護(hù)膜也是衡量鎖具質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)，質(zhì)量好的鎖具，多采用電鍍處理，鍍層細(xì)膩光滑，均勻適中，色澤鮮艷，無(wú)氣泡、生銹及氧化跡象。
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夢(mèng)幻系列-C6K(S)～3C20KS
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
夢(mèng)幻系列C6K(S)～3C20KS廣泛地應(yīng)用于從信息采集、傳送、處理、儲(chǔ)存到應(yīng)用的各個(gè)環(huán)節(jié)，其重要性是隨著信息應(yīng)用重要性的日益提高而增加。夢(mèng)幻系列C6K(S)～3C20KS提供可擴(kuò)展功能，可根據(jù)用戶的靈活配置。
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產(chǎn)品規(guī)格
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機(jī)器型號(hào)
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C6K
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C6KS
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C10K
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C10KS
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3C10KS
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3C15KS
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3C20KS
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尺寸（寬×深×高）mm
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248×500×616
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240×500×460
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248×500×616
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240×500×460
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248×500×616
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凈重（Kg）
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57
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18
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67.5
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20
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27
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35
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35
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功率
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視在功率（KVA）
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6KVA
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6KVA
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10KVA
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10KVA
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10KVA
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15KVA
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20KVA
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有功功率（KW）
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4.8KW
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4.8KW
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8KW
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8KW
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8KW
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12KW
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16KW
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交流輸入
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輸入方式
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單相接地
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電壓范圍
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120VAC～275VAC±5V
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旁路電壓
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80VAC×（1±5%）～285VAC（1±5%）
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電流*
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33A.max
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37A.max
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55A.max
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59A.max
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86A.max
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112A.max
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頻率范圍
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46Hz～54Hz
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功率因數(shù)
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0.99
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0.95
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輸出
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輸出方式
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單相接地 | 三相四線+地線
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電壓
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220VAC×(1±1%)逆變輸出
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電流
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27A
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45A
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68A
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91A
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頻率
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46Hz～54Hz(市電模式，跟隨市電)，50Hz×(1±0.1%)(電池模式)
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功率因數(shù)
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0.8
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過載能力
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105%～125%，1分鐘后轉(zhuǎn)旁路；125%～150%，30秒后轉(zhuǎn)旁路，1分鐘后斷輸出；>150%,0.5后轉(zhuǎn)旁路
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峰值因數(shù)
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3:1
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失真度
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THD<2%(線性負(fù)載)
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蓄電池（電池在高溫下使用，壽命會(huì)急劇下降）
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電池組電壓
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標(biāo)準(zhǔn)192VDC（可根據(jù)用戶定制為240V））
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電池容量×數(shù)量
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12VDC×16節(jié)（可根據(jù)用戶定制為20節(jié)）
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后備時(shí)間
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4分鐘（滿載）
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取決于外接電池容量
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3分鐘（滿載）
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取決于外接電池容量
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充電時(shí)間
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7小時(shí)充至90%
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取決于外接電池容量
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7小時(shí)充至90%
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取決于外接電池容量
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通訊與監(jiān)控功能
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RS232（可轉(zhuǎn)485），干節(jié)點(diǎn)，智能插槽（可擴(kuò)充SNMP，手機(jī)短信等多種監(jiān)控方式）
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*.電流是在UPS輸入187V，輸出帶額滿載，充電器滿負(fù)荷工作條件下獲得。
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注：產(chǎn)品以實(shí)物為準(zhǔn)。產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)規(guī)格更新，恕不另行通知。
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新聞:潮州伊頓UPS電源電話LED芯片技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵在于基底材料和外延生長(zhǎng)技術(shù)。基底材料由傳統(tǒng)的藍(lán)寶石材料、硅和碳化硅，發(fā)展到氧化鋅、氮化鎵等新材料。在短短數(shù)年內(nèi)，借助于包括芯片結(jié)構(gòu)、表面粗化處理和多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)在內(nèi)的一系列技術(shù)改進(jìn)，LED在光效方面實(shí)現(xiàn)了巨大突破。硅基底成本很低，技術(shù)在不斷進(jìn)步中，但目前發(fā)光效率還不滿意，如果保持這種發(fā)展速度，一旦達(dá)到較高水平，則硅基底成為主要的技術(shù)方案成為必然的選擇，企業(yè)也將獲得巨大的經(jīng)濟(jì)回報(bào)。
