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IGBT西門康SKM300GAR12E4可控硅
發(fā)布者:沈經(jīng)理  發(fā)布時間:2022-05-20 09:59:00

      上海萱鴻電子科技有限公司

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對于IGBT的門極所需的驅(qū)動功率的大小計(jì)算,我們經(jīng)常在拿到IGBT規(guī)格書的時候會根據(jù)其中的Qg或者輸入電容
  Ciss(Ciss=Cge+Cgc)做一個大致的計(jì)算,P=Qg*ΔVge*f或者P=Ciss*5*ΔVge?*f,今天我們就來聊聊IGBT驅(qū)動器驅(qū)動功率的計(jì)算。
  關(guān)于IGBT的使用,我們在評估完IGBT本身特性參數(shù)的時候,可以重要的就是驅(qū)動器的選擇和設(shè)計(jì)了,此時我們經(jīng)常會遇到,如Datasheet描述的參數(shù)不是太充分,驅(qū)動電阻應(yīng)該如何選擇(這個一般IGBT廠家都會有一個推薦值,在其附近選取,再根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整)等等一些不確定因素或者問題,在這之前,我覺得對于一個驅(qū)動器的設(shè)計(jì),重要的因素還是其驅(qū)動功率,這一點(diǎn)達(dá)不到,其他因素都沒有意義了。
  1.
  確定門極電荷Qg和門極電容
  對于設(shè)計(jì)一個驅(qū)動器來說,重要的參數(shù)莫過于門極電荷Qg的大小,同時確定實(shí)際的門極輸入電容Cies的大小,因?yàn)镈atasheet中給到的輸入電容大小一般是個參考值,確定實(shí)際門極輸入電容是一重要意義的。
  我們可以通過測量門極的充電過程來確定實(shí)際輸入結(jié)電容Cin的大小。首先,在負(fù)載端沒有輸出電壓的情況下,我們可以進(jìn)行下面這樣的計(jì)算:
  門極電荷Qg=∫idt=C*ΔV
  確定了門極電荷Qg之后,我們可以通過門極充電過程中的門極電壓上升過程,示波器可以測量出ΔV,那么利用公式可以計(jì)算出實(shí)際的門極輸入電容
  Cin=Qg/ΔV
  這里的測得的實(shí)際輸入結(jié)電容Cin在我們的設(shè)計(jì)中是具有很大意義的。
  2.
  關(guān)于Ciss
  在IGBT的Datasheet中,我們經(jīng)常會看到一個參數(shù)Ciss,在實(shí)際電路應(yīng)用中,這個參數(shù)其實(shí)并不算一個很有用的參數(shù),是因?yàn)樗峭ㄟ^電橋測得的,由于測量電壓太小而不能達(dá)到門極的門檻電壓,實(shí)際開關(guān)過程中的miller效應(yīng)并沒有能包涵在內(nèi)。在測量電路中,一個25V的電壓加在集電極上,在這種測量方法下測得的結(jié)電容要比Vce=0的時候要小一些,因此,規(guī)格書中的Ciss這個參數(shù)一般用于IGBT相互做對比時使用。
  一般我們使用下面的經(jīng)驗(yàn)公式根據(jù)規(guī)格書的Ciss來計(jì)算輸入電容Cin的大小
  Cin=5Ciss
  3.
  驅(qū)動功率的計(jì)算
  接下來讓我們看看應(yīng)該如何來計(jì)算驅(qū)動功率。
  在輸入結(jié)電容中存儲的能量可以通過如下公式計(jì)算:
  W=1/2*Cin*ΔU?
  其中,ΔU是門極上上升的整個電壓,比如在±15V的驅(qū)動電壓下,ΔU就是30V。
  在每個周期,門極被充電兩次,一個IGBT所需的驅(qū)動功率我們可以按下式計(jì)算:
  P=f*Cin*ΔU?
  如果門極電荷先前通過測量得到了,那么
  P=f*Qg*ΔU
  這個功率是每個IGBT驅(qū)動時所必須的,但門極的充放電時基本沒有能量損失的,這個功率實(shí)際上損失在驅(qū)動電阻和外部電路中。當(dāng)然,設(shè)計(jì)時還需要考慮其他方面的損耗,比如供電電源的損耗。
  4.
  驅(qū)動電流的計(jì)算
  驅(qū)動器的輸出電流必須大于等于實(shí)際所需要的門極驅(qū)動電流,計(jì)算公式如下:
  Ig,max=ΔU/Rg,min
  ΔU是整個門極上升電壓,而Rg,min是電路中選取的驅(qū)動電阻。

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