ME8109主要針對適配器、充電器、開板電源、家電類、輔助電源而設計的一款高性能控
制芯片。ME8109 內(nèi)部集成了一個脈寬調(diào)制控制器和一個 650V(600V) 的高壓功率 MOSFET。
ME8109 的啟動電流很低,電流模式脈寬調(diào)制使得在輕載時工作在節(jié)能模式。這些特性保證了
電源能輕松達到最嚴苛的能源法規(guī)要求。 ME8109 的集成功能包括電流檢測的前沿消隱,內(nèi)
部斜率補償,逐周期峰值電流限制和軟啟動。 另外,在誤動作時,過流保護(OCP),過壓保護
(OVP) 和過載保護 (OLP) 、OTP能為芯片提供充分的保護。總之,ME8109 擁有更好的特性
和更低的電源成本.
ME8109BD8G主要特點如下:
1)低待機功耗:通過低功耗間歇工作模式設計,達到小于 100mW超低耗的性能。
2)無噪聲工作:優(yōu)化的芯片設計可以使系統(tǒng)任何工作狀態(tài)下均可安靜地工作,系統(tǒng)最小工作頻
率控制在 22K左右。
3)更低啟動電流:VDD啟動電流低至 5uA,可有效地減少系統(tǒng)啟動電路的損耗,縮短系統(tǒng)的啟
動時間。
4)更低工作電流:工作電流約為 1.8mA, 可有效降低系統(tǒng)的損耗,提高系統(tǒng)的效率。
5)內(nèi)置前沿消隱:內(nèi)置 220nS前沿消隱(LEB),降低系統(tǒng)成本。
6)內(nèi)置良好的 OCP 補償:內(nèi)置了 OCP 補償功能,使系統(tǒng)在不需要增加成本的情況下輕易使得
全電壓范圍內(nèi)系統(tǒng)的 OCP曲線趨向平坦, 提高系統(tǒng)的性價比。
7)完善的保護功能:集成了完善的保護功能模塊。OVP,UVLO,OCP,OTP、恒定的 OPP可以使
系統(tǒng)設計簡潔可靠,同時滿足安規(guī)的要求。
8)軟啟動功能:內(nèi)置 4mS軟啟動功能,可有效降低系統(tǒng)開機 MOS管漏源之間電壓過沖。
9)較少的外圍器件:外圍比較簡單,可有效提高系統(tǒng)的功率密度,降低系統(tǒng)的成本。
10)優(yōu)良的 EMI 特性: 內(nèi)置的頻率抖動設計可以很有效的改善系統(tǒng)的 EMI 特性,同時可以
降低系統(tǒng)的 EMI 成本。