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伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 用于鍍制 TiN 薄膜
發(fā)布者:bdqysh  發(fā)布時間:2020-11-17 14:26:42

傳統(tǒng)磁控濺射制備工藝存在一個突出的問題, 當離子能量較低時,在濺射沉積過程中會發(fā)生 “遮蔽效應”, 會使薄膜結構疏松, 產生孔隙等缺陷, 這直接影響著薄膜的性能.

 

為提高制備薄膜的致密度, 減少結構缺陷, 提高耐蝕性能, 國內某光學薄膜制造商采用伯東 KRI 考夫曼聚焦型射頻離子源 RFICP140 用于磁控濺射鍍制 TiN 薄膜.

 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP140 技術參數(shù):

型號

RFICP 140

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>600 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

14 cm Φ

離子束

聚焦

流量

5-30 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

24.6 cm

直徑

24.6 cm

中和器

LFN 2000

客戶采用離子源輔助磁控濺射鍍膜技術在 304 不銹鋼和 P 型(100)晶向硅片上制備TiN納米薄膜.

 

推薦理由:

聚焦型射頻離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

 

運行結果:

1. 通過KRI 考夫曼聚焦型射頻離子源 RFICP140 濺射作用將優(yōu)先形成的遮蔽效應, 制備的薄膜具有較高致密度.

2. 減少結構缺陷

3. 提高耐蝕性能

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵檢漏儀質譜儀真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

 

 

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