SCONINC變換器SCONI-2DSC-A3B2X,出售大秦 DSTC-4D-1/UCREVIS,MA-A121M-48,12M,48 fps,3.45um x 3.45um,CoaXPress,Mono
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kg/m；K——型式代號(hào)：空腹型鋼；T——類組代號(hào)：T形電梯對(duì)重用導(dǎo)軌。例如：TK5A代表5kg/m帶折邊的T形空心導(dǎo)軌。[3]導(dǎo)軌安裝編輯（1）安裝導(dǎo)軌基礎(chǔ)座①在底坑地面安裝固定導(dǎo)軌槽鋼基礎(chǔ)座。其中心應(yīng)與轎廂導(dǎo)軌中心線重合。②槽鋼基礎(chǔ)座找平后在槽鋼兩端邊緣各打一條M16螺栓將槽鋼與底坑地面連接固定，底坑如有結(jié)構(gòu)鋼筋也可與鋼筋焊接。槽鋼基礎(chǔ)座水平度誤差不大于1/1000。③槽鋼基礎(chǔ)座位置確定后，用混凝土將其四周灌實(shí)抹平。槽鋼基礎(chǔ)座兩端用來(lái)固定導(dǎo)軌的角鋼架，先用轎廂導(dǎo)軌中心線找正后，再進(jìn)行固定。④若導(dǎo)軌下無(wú)槽鋼基礎(chǔ)座，可在導(dǎo)軌下邊墊一塊厚度占≥12mm，面積為200mm×200mm的鋼板，并與導(dǎo)軌用電焊點(diǎn)焊。反向峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的溫度下，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的控制極電流和電壓。維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)使其關(guān)斷的可控硅等等。分類編輯可控硅有多種分類。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。完全關(guān)斷同樣開關(guān)Q1的時(shí)間大約是完全導(dǎo)通時(shí)間的48倍。當(dāng)外部負(fù)載或C2在啟動(dòng)瞬間要汲取較大電流時(shí)，快速導(dǎo)通Q1可能使MAX810輸入電壓低于其復(fù)位門檻電壓從而復(fù)位出現(xiàn)，因此在圖2基礎(chǔ)上再一RC網(wǎng)絡(luò)以減緩其開通，地選擇R、C可使負(fù)載連接延續(xù)到幾個(gè)MAX668開關(guān)工作周期，使MAX668的輸出電壓一直高于MAX810的復(fù)位門檻電壓。假如R、C使Q1的導(dǎo)通時(shí)間，同時(shí)也了關(guān)斷時(shí)間。因此需要在電阻上并聯(lián)特基二極管，以加速當(dāng)負(fù)載過(guò)載時(shí)關(guān)閉Q1的。為了增強(qiáng)型通道及較低的導(dǎo)通電阻，上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道MOSFET，如果Q1的導(dǎo)通電阻值較大且在其兩端產(chǎn)生較大的壓降（特別是低輸出電壓應(yīng)用或負(fù)載離電源的距離較遠(yuǎn)時(shí)）。
