Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE技術(shù)參數(shù):
|
基板尺寸 |
< Ф8 X 1wfr |
|
樣品臺(tái) |
直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn) |
|
離子源 |
16cm |
|
均勻性 |
±5% for 4”Ф |
|
硅片刻蝕率 |
20 nm/min |
|
溫度 |
<100 |
該制造商采用的 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術(shù)參數(shù)：
|
離子源型號 |
|
|
Discharge |
DC 熱離子 |
|
離子束流 |
>650 mA |
|
離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
16 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
2-30 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
|
長度 |
25.2 cm |
|
直徑 |
23.2 cm |
|
中和器 |
燈絲 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架
Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 配的是 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持刻蝕室的真空度.
其產(chǎn)品優(yōu)勢:
1.結(jié)構(gòu)緊湊但功能強(qiáng)大的渦輪泵，用于 N2 時(shí)的最高抽速可達(dá) 685 l/s
2.最佳真空性能，最低功耗
3.集成的帶 Profibus 的驅(qū)動(dòng)電子裝置 TC 400
4.可在任何方向安裝
5.帶有集成型水冷系統(tǒng)以保證最大氣體流量
6.通過 M12 插接頭的 Profibus 連接
7.廣泛的配件擴(kuò)展使用范圍
運(yùn)行結(jié)果:
1. 經(jīng)過 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 對碳化硅微納結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕, 以調(diào)控結(jié)構(gòu)的線寬和深度, 使結(jié)構(gòu)表面粗糙度由約106nm降低到11.8nm.
2. 碳化硅菲涅爾波帶片展現(xiàn)出良好的聚焦和成像效果.
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :
上海伯東 : 羅先生 臺(tái)灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！
