Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 技術規(guī)格:
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真空腔 |
1 set, 主體不銹鋼,水冷 |
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基片尺寸 |
1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻, |
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離子源 |
? 8cm 考夫曼離子源 KDC75 |
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離子束入射角 |
0 Degree～± 90 Degree |
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極限真空 |
≦1x10-4 Pa |
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刻蝕性能 |
一致性: ≤±5% across 4” |
該實驗室采用的 Hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE 的核心構件離子源是配伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術參數(shù)：
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離子源型號 |
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Discharge |
DC 熱離子 |
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離子束流 |
>250 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
7.5 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
2-15 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
20.1 cm |
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直徑 |
14 cm |
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中和器 |
燈絲 |
* 可選: 一個陰極燈絲; 可調(diào)角度的支架
試驗結(jié)果:
Hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE 刻蝕出的芯片表面平整、光滑,解決了濕法刻蝕難以解決的橫向腐蝕問題,并提高了刻蝕速率。
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