Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL 3100 技術(shù)參數(shù):
|
Model |
MEL3100 |
|
Main body |
||
|
Wafer size |
3"～6" |
|
Power |
AC200V 3ph 40A |
|
|
Wafer per batch |
1 wafer |
|
*two lines |
||
|
Cassette |
No. |
25 wafers |
|
Cooling |
15 (l/min) |
|
Q'ty |
1pc. |
|
<20℃ |
||
|
Throughput |
10 (wafer/hr) *1 |
|
CDA |
0.5 (MPa) |
|
|
Pressure |
Ultimate |
8×10-5 (Pa) *2 |
|
>10 (l/min) |
|
|
Process |
2×10-2 (Pa) *2 |
|
N2 |
0.2 (MPa) |
|
|
Etching |
Rate |
>10 (nm/min)@SiO2 *3 |
|
>40 (l/min) |
|
|
Uniformity |
±5%@132mm (6") *3 |
|
Ar |
0.2 (MPa) |
|
|
Wafer surface temp. |
<100℃ *3 |
|
20 (sccm) |
||
|
Stage rotating |
1～20 (rpm) ±5% |
|
He |
0.2 (MPa) |
|
|
Stage tilting |
±90°±0.5° |
|
20 (sccm) |
||
|
Dimension |
Main body |
1,600×2,175×1,900 |
|
*need additional utilities |
|
|
Controller |
640×610×1,900 |
|
|||
|
Chiller |
555×515×1,025 |
|
|
|
|
|
Weight (kg) |
Main body |
1,700 |
|
|
|
|
Controller |
200 |
|
|
|
|
|
Chiller |
100 |
|
|
|
|
|
*1: Estimated process time 5min |
|
|
|
||
|
*2: No wafer on stege / process chamber |
|
|
|
||
|
*3: Depending on process |
|||||
Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL 3100 產(chǎn)品優(yōu)勢：
1. 所有流程全自動(dòng)減少人工操作, 從而保證了產(chǎn)品的無差錯(cuò)、高穩(wěn)定性和高質(zhì)量
2. 盒式房間采用高效微粒過濾器
3. 采用高質(zhì)量的蝕刻考夫曼離子源, 保證良好的均勻性和高蝕刻率
4. 占用空間小
5. 傳輸系統(tǒng)采用了 SCARA 型機(jī)器人
6. 控制單元系統(tǒng)提供操作通過觸摸屏/ 10.4英寸, 數(shù)據(jù)記錄可以顯示在屏幕上
7. 高冷卻效果
8. 良好的重復(fù)性和再現(xiàn)性的旋轉(zhuǎn)和傾斜階段具有良好的可重復(fù)性利用脈沖電動(dòng)機(jī)
9. 容易維護(hù)這個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)重點(diǎn)是容易維護(hù)和用戶友好
10. 關(guān)鍵部件服務(wù)伯東的經(jīng)銷商是系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件渦輪泵系統(tǒng)、離子源提供客戶快速響應(yīng)時(shí)間和本地服務(wù)能力,減少停機(jī)時(shí)間的工具
該 Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL3100的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP 380
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)：
|
射頻離子源型號 |
RFICP 380 |
|
Discharge 陽極 |
射頻 RFICP |
|
離子束流 |
>1500 mA |
|
離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
30 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
15-50 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
|
長度 |
39 cm |
|
直徑 |
59 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
運(yùn)行結(jié)果:
1. 有效去除濺射沉積時(shí)帶來的污染物
2. 提高了薄膜磁盤的均勻度
3. 獲得具有高矯頑力、高剩磁、高穩(wěn)定性的連續(xù)薄膜型的記錄介質(zhì)
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :
上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！
