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資訊詳情
GHW-12Z ENI 射頻等離子體發(fā)生器
發(fā)布者:cx5716528  發(fā)布時間:2024-03-18 17:33:58
  GHW-12Z ENI 射頻等離子體發(fā)生器

  型號:GHW-12Z

  品牌:ENI

  制造商:ENI

  系列:GHW

  產(chǎn)品描述

  GHW-12Z ENI射頻等離子體發(fā)生器產(chǎn)生射頻等離子體。

  特征:

  具有自我尋址、自我定位、自動I/O檢測等特點。

  GHW-12Z ENI射頻等離子體發(fā)生器是一種高性能、高可靠性的射頻電源,專為產(chǎn)生射頻等離子體而設計。

  GHW-12Z ENI射頻等離子體發(fā)生器采用先進的射頻技術和控制電路,具有快速響應、高精度、高穩(wěn)定性等特點。同時,它還具備自我保護和故障診斷功能,確保設備的長期穩(wěn)定運行。

  GHW50 13.56 MHz、5 kW射頻等離子體發(fā)生器提供經(jīng)過現(xiàn)場驗證的可靠性、卓越的穩(wěn)定性和的可重復性,可實現(xiàn)高正常運行時間和工藝良率。GHW系列射頻等離子體發(fā)生器可提供208 VAC和400/480 VAC電壓。GHW RF等離子體發(fā)生器非常適合集成電路、平板顯示器和數(shù)據(jù)存儲設備制造過程中的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、高密度等離子體CVD(HDPCVD)、蝕刻和其他薄膜應用。

  應用領域

  GHW-12Z ENI射頻等離子體發(fā)生器廣泛應用于主要應用于半導體行業(yè)、材料科學、生物醫(yī)學等領域,如等離子體刻蝕、薄膜制備、表面處理等。

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