圖6.通過(guò)迫使液體通過(guò)半導(dǎo)體芯片中的微觀蝕刻通道進(jìn)行冷卻[6.32]，通道深約400米，寬約100米，6.6.6熱模擬和測(cè)量有許多軟件包可用于對(duì)電子系統(tǒng)的熱行為進(jìn)行數(shù)值模擬，這些程序中的一些是通用的熱仿真程序。
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顯微硬度測(cè)試的常見問(wèn)題
1、準(zhǔn)確性 – 儀器以線性方式讀取公認(rèn)硬度標(biāo)準(zhǔn)（經(jīng)過(guò)認(rèn)證的試塊）的能力，以及將該準(zhǔn)確性轉(zhuǎn)移到測(cè)試樣本上的能力。
2、重復(fù)性- 結(jié)果是否可以使用公認(rèn)的硬度標(biāo)準(zhǔn)重復(fù)。
3、相關(guān)性——兩臺(tái)經(jīng)過(guò)正確校準(zhǔn)的機(jī)器或兩個(gè)操作員能否得出相同或相似的結(jié)果（不要與使用同一臺(tái)機(jī)器和同一操作員的重復(fù)性相混淆。
而加速度計(jì)2位于PCB的背面，604.2實(shí)驗(yàn)1電子箱安裝在固定在振動(dòng)篩上的固定裝置上，為了觀察基座的振動(dòng)行為，在電子箱的基座上安裝了兩個(gè)微型加速度計(jì)(表18)，并且在夾具上安裝了控制加速度計(jì)，在5-2100Hz之間執(zhí)行正弦掃描測(cè)試。 像ImAg和OSP之類的表面光潔度相對(duì)較薄，ImAg盡管從焊料潤(rùn)濕性的角度來(lái)看是好的，但它容易發(fā)生電化腐蝕，銀和銅的標(biāo)準(zhǔn)電電勢(shì)分別為0.8V和0.34V，在銅未被銀覆蓋的位置(蝕刻底切位置)，或這些薄涂層中通常存在的孔隙暴露出來(lái)的地方。
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1、機(jī)器。
維氏顯微硬度測(cè)試儀通過(guò)使用自重產(chǎn)生力來(lái)進(jìn)行測(cè)量。這些輕負(fù)載裝置 (10-2,000 gf) 將自重直接堆疊在壓頭頂部。雖然這消除了放大誤差以及其他誤差，但這可能會(huì)導(dǎo)致重復(fù)性問(wèn)題。在大多數(shù)情況下，顯微硬度計(jì)使用兩種速度施加載荷——“快”速度使壓頭靠近測(cè)試件，“慢”速度接觸工件并施加載荷。壓頭的“行程”通常用測(cè)量裝置設(shè)定?？偠灾?，一件樂(lè)器給人留下印象大約需要 30 秒。此時(shí)，在進(jìn)行深度測(cè)量或只是試圖在特定點(diǎn)上準(zhǔn)確放置壓痕時(shí)，壓頭與物鏡的對(duì)齊至關(guān)重要。如果這部分弄錯(cuò)了，即使硬度值不受影響，但距樣品邊緣的距離也可能是錯(cuò)誤的，終導(dǎo)致測(cè)量錯(cuò)誤。
討論蠕變腐蝕的測(cè)試狀態(tài)是由一家主要的電子硬件制造商的可靠性工程師提供的以下新注釋的:[故障模式因?yàn)橥嘶亟o我的大部分PCB都是由于腐蝕而在現(xiàn)場(chǎng)失敗的，硫化銅從裸露的銅金屬邊緣擴(kuò)散出來(lái)的生長(zhǎng)失敗，如果硫化銅橋接相鄰的焊盤。 則較少的循環(huán)就足以導(dǎo)致失效，因此會(huì)發(fā)生低循環(huán)疲勞失效，開發(fā)了三種方法來(lái)研究疲勞現(xiàn)象，個(gè)是應(yīng)力壽命方法，在這種方法中，不考慮裂紋萌生或擴(kuò)展效應(yīng)，材料的應(yīng)力與周期(SN)曲線用于分析，破壞準(zhǔn)則是，當(dāng)損壞指數(shù)達(dá)到(例如。
2、運(yùn)營(yíng)商。
顯微硬度測(cè)試很大程度上受操作者的能力和技能的影響。正確的聚焦是獲得準(zhǔn)確結(jié)果的關(guān)鍵因素。模糊圖像和結(jié)果很容易被誤讀或誤解。在許多情況下，操作員有時(shí)會(huì)急于進(jìn)行測(cè)試并取出零件。必須小心確保正確的結(jié)果。在許多情況下，機(jī)器的自動(dòng)對(duì)焦可以幫助消除一些由乏味、費(fèi)力和重復(fù)性任務(wù)帶來(lái)的感知錯(cuò)誤。
手動(dòng)記錄和轉(zhuǎn)換結(jié)果可能是操作員出錯(cuò)的另一個(gè)原因。疲勞的眼睛很容易將 99.3 視為 9.93。 自動(dòng)給出轉(zhuǎn)換和結(jié)果的數(shù)字顯微硬度測(cè)試儀可以幫助消除這個(gè)問(wèn)題。此外，相機(jī)幾乎可以連接到任何顯微硬度測(cè)試儀上，以幫助找到印模末端。
-可能同時(shí)發(fā)現(xiàn)許多故障，-減少耗時(shí)的軟件開發(fā)，-無(wú)需打開PCB的電源，從而降低了因測(cè)試而產(chǎn)生故障的危險(xiǎn)，缺點(diǎn):-耗時(shí)的測(cè)試，-組件之間的交互未經(jīng)測(cè)試，-需要昂貴的測(cè)試夾具，-必須訪問(wèn)電路中的所有節(jié)點(diǎn)，:電子元器件。 通過(guò)潮解過(guò)程，可溶性物質(zhì)從表面上的固體顆粒轉(zhuǎn)變?yōu)闈饪s液層，毛細(xì)管冷凝是導(dǎo)致水分含量增加的另一個(gè)過(guò)程，它不是在表面上發(fā)生，而是在多孔介質(zhì)中通過(guò)蒸氣的多層吸附發(fā)生，因此，它對(duì)在PCB表面形成連續(xù)的水通道的貢獻(xiàn)很小[95]。
3、環(huán)境問(wèn)題。
由于顯微硬度測(cè)試中使用輕負(fù)載，振動(dòng)可能會(huì)影響負(fù)載精度。壓頭或試樣的振動(dòng)會(huì)導(dǎo)致壓頭更深地進(jìn)入零件，從而產(chǎn)生更柔軟的結(jié)果。顯微硬度計(jì)應(yīng)始終放置在專用、水平、堅(jiān)固、獨(dú)立的桌子上。確保您的桌子沒(méi)有靠墻或相鄰的桌子。
顯微硬度計(jì)硬度計(jì)機(jī)器具有高倍光學(xué)鏡片。如果在測(cè)試儀附近進(jìn)行切割、研磨或拋光，鏡頭上可能會(huì)沾上污垢，從而導(dǎo)致結(jié)果不準(zhǔn)確。
為了完成上述任務(wù)，使用了工程分析程序ANYSRev4.1，7R，Toroslu等人[17]繼續(xù)指導(dǎo)機(jī)械包裝的設(shè)計(jì)，這將保護(hù)安裝在155毫米中的遙測(cè)單元的電子組件免受高達(dá)1800g*s的高加速度(沖擊)的影響。 確定通過(guò)不同地質(zhì)材料進(jìn)行地?zé)醾鳠岷蜕l(fā)的有效性，對(duì)水文地質(zhì)研究，地?zé)峁I(yè)，地球物理和巖土工程研究以及頁(yè)巖氣和油砂工業(yè)至關(guān)重要，可以使用C-ThermTCi熱導(dǎo)率分析儀測(cè)量地質(zhì)樣品的熱性質(zhì)，門為加拿大和范圍內(nèi)的客戶開發(fā)。 用這種方法，用力激勵(lì)結(jié)構(gòu)，并測(cè)量來(lái)自結(jié)構(gòu)各個(gè)位置的響應(yīng)，在大多數(shù)情況下，力值由力傳感器測(cè)量(圖4.3a)，而響應(yīng)由加速度計(jì)測(cè)量(圖4.3b)，通過(guò)確定施加到結(jié)構(gòu)的力與結(jié)構(gòu)對(duì)這些力的響應(yīng)之間的關(guān)系，可以定義結(jié)構(gòu)的模式。
斯特林或Gifford-McMahon冰箱在降低到LN2溫度方面表現(xiàn)好。下一個(gè)要考慮的問(wèn)題是冰箱提供所需冷卻所需的功耗。定義冷卻量和提供冷卻所需的功率之間的關(guān)系的參數(shù)是性能系數(shù)，或COP：回顧制冷系統(tǒng)的佳性能受到可逆卡諾制冷循環(huán)的COP的限制，其中TL（低溫儲(chǔ)存器溫度）與蒸發(fā)器表面溫度相關(guān)聯(lián)，TH（高溫儲(chǔ)存器）與冷凝器環(huán)境溫度相關(guān)聯(lián)。實(shí)際COP通常用卡諾COP的百分比（或分?jǐn)?shù)）表示。在這種情況下，隨著蒸發(fā)器溫度降低至77K[11，12]，將所選制冷技術(shù)的實(shí)際COP與卡諾COP（圖4）進(jìn)行比較。相對(duì)于卡諾（理想）COP的各種制冷技術(shù)的性能系數(shù)（COP）。蒸氣壓縮循環(huán)在卡諾COP的30％至40％之間運(yùn)行相對(duì)有效。
大氣總腐蝕速率不受陰氧還原過(guò)程的控制，而是通過(guò)陽(yáng)反應(yīng)[60]，陽(yáng)半電池過(guò)程在簡(jiǎn)化的氧化反應(yīng)中顯示如下:M↙Mn++ne-34腐蝕產(chǎn)物(金屬氧化物和氫氧化物)的形成，腐蝕產(chǎn)物在表面電解質(zhì)中的溶解度以及鈍化的形成薄膜會(huì)影響陽(yáng)金屬溶解過(guò)程的總體速率。 在較高氯化物濃度下生長(zhǎng)的樹枝狀晶體具有較大的抵抗力，由于樹枝狀晶體的間歇燃燒和重新生長(zhǎng)，以較高的氯化物濃度通過(guò)電解質(zhì)的電荷較低，Bumiller等人[69]觀察到，氯化物會(huì)觸發(fā)樹突生長(zhǎng)并在HASL鍍銅金屬上造成均勻腐蝕。 這將有助于大程度地減少電磁感應(yīng)噪聲，為了提供直接的接地回路，接地回路過(guò)孔應(yīng)放置在差分對(duì)過(guò)孔附，當(dāng)信號(hào)從一層傳播到另一層時(shí)，這將為信號(hào)提供小的阻抗路徑，在設(shè)計(jì)具有接地回路的PCB時(shí)，電路層應(yīng)從上方堆疊，從而在電源面上布線。 由于產(chǎn)生的軸向力(P/2)，也會(huì)產(chǎn)生剪切應(yīng)力，均剪應(yīng)力由，其中剪切面積A由sh板w和d表示PCB的通孔鍍金，hh是儀器維修的儀器維修厚度，因此，剪切應(yīng)力而由s給出，而s=P/[2羽dh)大主應(yīng)力和剪切應(yīng)力由1/2考=考+考+而22大應(yīng)力是由于印刷儀器維修的振動(dòng)暴露而引起的交變應(yīng)力。
由于機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致的微孔形成以及與時(shí)間有關(guān)的電介質(zhì)擊穿（TDDB）；–縮小規(guī)模的新架構(gòu)對(duì)器件抗靜電放電保護(hù)程度的影響。–此外，芯片組件參數(shù)的擴(kuò)展會(huì)大大削弱可靠性，這種擴(kuò)展是由芯片制造技術(shù)典型的物理和化學(xué)過(guò)程的熱力學(xué)變化引起的[15]。導(dǎo)致參數(shù)變化的主要過(guò)程因素如下：–納米級(jí)半導(dǎo)體體積中摻雜劑和結(jié)構(gòu)缺陷的不均勻分布以及介電層厚度的變化；–金屬和多晶膜的晶粒結(jié)構(gòu)；–在光刻過(guò)程中發(fā)生變形。有幾種方法可以減少參數(shù)變化對(duì)可靠性的影響。其中之一是制造工藝的改進(jìn)和功能材料選擇的證實(shí)。第二種方法是優(yōu)化電路解決方案。例如，可以通過(guò)增加源和漏區(qū)域中的摻雜劑濃度以及柵區(qū)域中的摻雜劑濃度來(lái)減小由CMOS晶體管結(jié)構(gòu)中摻雜劑的不均勻分布引起的參數(shù)擴(kuò)展。
DT粒徑分析儀數(shù)據(jù)顯示異常維修廠熱電冷卻器，散熱器和接口的冷卻技術(shù)，將不得不進(jìn)一步開發(fā)并在實(shí)際應(yīng)用中實(shí)施。越來(lái)越必須解決熱管理挑戰(zhàn)：在減小的體積內(nèi)且低壓降下從高通量芯片/模塊中散熱。熱量從相對(duì)較小的區(qū)域散布到較大的散熱器或傳導(dǎo)板。與EMI的熱集成，用于高速，低壓電路。隨著風(fēng)速的增加進(jìn)行噪音管理。的建模和測(cè)試工具。適用于敏感激光源的光子包裝，包括的溫度控制技術(shù)。新的界面材料可用于優(yōu)化越來(lái)越小的芯片。通過(guò)成功克服挑戰(zhàn)，熱管理將有助于提高封裝通信產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。預(yù)計(jì)在以下冷卻技術(shù)上會(huì)有進(jìn)一步的發(fā)展和進(jìn)步：散熱器，熱管，水冷卻，熱界面，熱電冷卻和直接浸入冷卻[6,7]。因此，在上述限制內(nèi)解決未來(lái)的熱管理問(wèn)題時(shí)，必須將傳統(tǒng)的低成本方法的佳功能與破壞性的熱解決方案相結(jié)合。 kjbaeedfwerfws
