天津某材料制造商采用伯東 KRI 射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射沉積制備 VO2 薄膜, 以獲得均勻性好, 沾污少, 附著力強(qiáng), 較高的透過(guò)率的 VO2 薄膜.
KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):
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射頻離子源型號(hào) |
RFICP380 |
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Discharge 陽(yáng)極 |
射頻 RFICP |
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離子束流 |
>1500 mA |
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離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長(zhǎng)度 |
39 cm |
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直徑 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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客戶采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP380 產(chǎn)生離子束不斷轟擊源極靶材和工件, 工件在離子束轟擊下迅速被加熱至高溫, 源極靶材在轟擊作用下濺射出的合金元素不斷奔向工件表面, 經(jīng)沉積擴(kuò)散過(guò)程形成一定厚度的涂層.
KRI 射頻離子源 RFICP380 運(yùn)行結(jié)果:
1. 獲得的薄膜在可見光波段具有較高的透過(guò)率
2. 薄膜較為平整且對(duì)可見光的透過(guò)率較高為38%, 退火處理提高了薄膜的結(jié)晶性和透過(guò)率
3. 制備出單斜結(jié)構(gòu)的VO2薄膜, 且具有晶面擇優(yōu)取向
4. 制備的薄膜均勻性好, 沾污少, 附著力強(qiáng), 沉積速率大, 效率高, 產(chǎn)量高
伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.
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