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工作數(shù)據(jù)：?jiǎn)尉€的傳輸：1000米，加中繼器可延至10000米。
其它數(shù)據(jù)：Ishizaki等進(jìn)行了帶缺陷超疏水膜層的腐蝕機(jī)理研究，由于裂縫的存在使膜層局部區(qū)域的疏水性降低，腐蝕介質(zhì)通過(guò)裂縫滲入，從而發(fā)生腐蝕，伴隨著腐蝕產(chǎn)物的積累，膜層被進(jìn)一步破壞，使表面由超疏水狀態(tài)變?yōu)槌H水狀態(tài)，腐蝕擴(kuò)展，終超疏水膜層破壞。如何避免或減輕這些缺陷帶來(lái)的不利影響，是超疏水膜層的研究課題之一。相法制備超疏水膜層的研究進(jìn)展目前用于制備超疏水膜層的CVD方法包括常溫常壓化學(xué)氣相沉積（常溫常壓CVD）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）、氣溶膠輔助化學(xué)氣相沉積（：：CVD）等。溫常壓化學(xué)氣相沉積常溫常壓CVD不需要復(fù)雜精密設(shè)備，沉積薄膜組成及結(jié)構(gòu)可控，具有成本低、操作簡(jiǎn)單、制備膜層重復(fù)性好、膜層均勻、適用范圍廣以及對(duì)基體材料無(wú)損害等優(yōu)點(diǎn)。Rollings等研究了甲基三氯硅烷（TCMS）合成納米纖維的影響因素，包括反應(yīng)物濃度和配比、反應(yīng)物分布均一性、合成時(shí)間和催化劑用量；相關(guān)學(xué)者還研究了反應(yīng)溫度對(duì)制備膜層疏水性的影響；Karla等采用拉曼原位監(jiān)測(cè)技術(shù)研究了CVD制備碳納米管（CNT）的形成和生長(zhǎng)過(guò)程。
特性阻抗：150±15
相互電容：＜60pf/m
峰值電壓：250V(非電源銜接用)
報(bào)價(jià)導(dǎo)體直流電阻：57.5Ω/km公司要求盡快調(diào)好，目前怎么做比較合適？回答：MLSS已經(jīng)有2~3ppm，請(qǐng)確認(rèn)F/M值，再看看是否要提高其濃度。氨氮硝化需要長(zhǎng)污泥齡，如果進(jìn)水有機(jī)物提高了，降解有機(jī)物的菌種就會(huì)占優(yōu)勢(shì)，反過(guò)來(lái)，硝化菌就不占優(yōu)勢(shì)，故出現(xiàn)COD上升后氨氮去除率降低的現(xiàn)象。氨氮去除需要硝化和反硝化過(guò)程，其中硝化階段還與多個(gè)控制參數(shù)有關(guān)，比如pH值、溶解氧等。這些指標(biāo)是否滿足或有所變動(dòng)也是要確認(rèn)的。僅僅考慮氨氮指標(biāo)的降低，關(guān)鍵在硝化段。  經(jīng)理：畢永峰 　　
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