RAM包含CPU工作存儲區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)域中的V數(shù)據(jù)存儲區(qū)、M數(shù)據(jù)存儲區(qū)、T(定時器)區(qū)和C(計數(shù)器)區(qū)。
可以在一個面板或標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)軌上安裝S7--200，S7--200可采用水平或垂直方式安裝。
部分型號如下：
6ES7 211-0AA23-0XB0 CPU221 DC/DC/DC 6輸入/4輸出
6ES7 211-0BA23-0XB0 CPU221 繼電器輸出 6輸入/4輸出
6ES7 211-0BA23-0XB0 CPU221 繼電器輸出 6輸入/4輸出
6ES7 211-0BA23-0XB0 CPU221 繼電器輸出 6輸入/4輸出
6ES7 211-0BA23-0XB0 CPU221 繼電器輸出 6輸入/4輸出
6ES7 212-1AB23-0XB8 CPU222 DC/DC/DC 8輸入/6輸出
6ES7 212-1BB23-0XB8 CPU222 繼電器輸出 8輸入/6輸出
EEPROM包含程序存儲區(qū)、V數(shù)據(jù)存儲區(qū)的全部和M數(shù)據(jù)存儲區(qū)的前14個字節(jié)、C區(qū)全部以及TONR對應(yīng)區(qū)域。
6ES7 214-1AD23-0XB8 CPU224 DC/DC/DC 14輸入/10輸出
6ES7 214-1BD23-0XB8 CPU224 繼電器輸出 14輸入/10輸出
6ES7 214-2AD23-0XB8 CPU224XP DC/DC/DC 14DI/10DO 2AI/1AO
6ES7 214-2BD23-0XB8 CPU224XP 繼電器輸出 14DI/10DO 2AI/1AO
6ES7 216-2AD23-0XB8 CPU226 DC/DC/DC 24輸入/16輸出
6ES7 216-2BD23-0XB8 CPU226 繼電器輸出 24輸入/16輸出
擴(kuò)展模塊
6ES7 221-1BF22-0XA8 EM221 8入 24VDC 開關(guān)量
6ES7 221-1EF22-0XA0 EM221 8入 120/230VAC 開關(guān)量
6ES7 222-1BF22-0XA8 EM222 8出 24VDC 開關(guān)量
6ES7 222-1EF22-0XA0 EM222 8出 120V/230VAC 0.5A 開關(guān)量
6ES7 222-1HF22-0XA8 EM222 8出 繼電器
6ES7 222-1BD22-0XA0 EM222 4出 24VDC 固態(tài)－MOSFET
RTD模塊可報告攝氏溫度或華氏溫度，攝氏溫度與華氏溫度的轉(zhuǎn)換在內(nèi)部進(jìn)行。
S7-200有兩種操作模式：STOP模式和RUN模式。
工控產(chǎn)品 廠家直銷
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