RAM包含CPU工作存儲區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)域中的V數(shù)據(jù)存儲區(qū)、M數(shù)據(jù)存儲區(qū)、T(定時器)區(qū)和C(計數(shù)器)區(qū)。
RTD模塊可報告攝氏溫度或華氏溫度，攝氏溫度與華氏溫度的轉(zhuǎn)換在內(nèi)部進行。
部分型號如下：
6ES7 211-0AA23-0XB0 CPU221 DC/DC/DC 6輸入/4輸出
6ES7 211-0BA23-0XB0 CPU221 繼電器輸出 6輸入/4輸出
6ES7 211-0BA23-0XB0 CPU221 繼電器輸出 6輸入/4輸出
6ES7 211-0BA23-0XB0 CPU221 繼電器輸出 6輸入/4輸出
6ES7 211-0BA23-0XB0 CPU221 繼電器輸出 6輸入/4輸出
6ES7 212-1AB23-0XB8 CPU222 DC/DC/DC 8輸入/6輸出
6ES7 212-1BB23-0XB8 CPU222 繼電器輸出 8輸入/6輸出
200PLC將您的控制過程或者機器分解成相互獨立的部分。分解決定了控制器之間的界限，并將影響功能描述和資源的分配。
6ES7 214-1AD23-0XB8 CPU224 DC/DC/DC 14輸入/10輸出
6ES7 214-1BD23-0XB8 CPU224 繼電器輸出 14輸入/10輸出
6ES7 214-2AD23-0XB8 CPU224XP DC/DC/DC 14DI/10DO 2AI/1AO
6ES7 214-2BD23-0XB8 CPU224XP 繼電器輸出 14DI/10DO 2AI/1AO
6ES7 216-2AD23-0XB8 CPU226 DC/DC/DC 24輸入/16輸出
6ES7 216-2BD23-0XB8 CPU226 繼電器輸出 24輸入/16輸出
擴展模塊
6ES7 221-1BF22-0XA8 EM221 8入 24VDC 開關(guān)量
6ES7 221-1EF22-0XA0 EM221 8入 120/230VAC 開關(guān)量
6ES7 222-1BF22-0XA8 EM222 8出 24VDC 開關(guān)量
6ES7 222-1EF22-0XA0 EM222 8出 120V/230VAC 0.5A 開關(guān)量
6ES7 222-1HF22-0XA8 EM222 8出 繼電器
6ES7 222-1BD22-0XA0 EM222 4出 24VDC 固態(tài)－MOSFET
S7--200為系統(tǒng)中的所有擴展模塊提供5V直流邏輯電源。
S7-200 CPU內(nèi)的數(shù)據(jù)分為RAM區(qū)和EEPROM區(qū)。
RAM區(qū)數(shù)據(jù)需要CPU內(nèi)置的超級電容或者外插電池卡才能實現(xiàn)掉電保持特性。
EEPROM區(qū)能實現(xiàn)數(shù)據(jù)永久保持，不依靠超級電容或者電池就可以保持數(shù)據(jù)。
工控產(chǎn)品 廠家直銷
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