S7-200 CPU內部存儲區(qū)分為易失性的RAM存儲區(qū)和永久保持的EEPROM兩種。
S7-200CN必須安裝在接地金屬架上，并將其地線直接連接到接地金屬架上，電纜沿金屬架布線。
部分型號如下：
6ES7 211-0AA23-0XB0 CPU221 DC/DC/DC 6輸入/4輸出
6ES7 211-0BA23-0XB0 CPU221 繼電器輸出 6輸入/4輸出
6ES7 211-0BA23-0XB0 CPU221 繼電器輸出 6輸入/4輸出
6ES7 211-0BA23-0XB0 CPU221 繼電器輸出 6輸入/4輸出
6ES7 211-0BA23-0XB0 CPU221 繼電器輸出 6輸入/4輸出
6ES7 212-1AB23-0XB8 CPU222 DC/DC/DC 8輸入/6輸出
6ES7 212-1BB23-0XB8 CPU222 繼電器輸出 8輸入/6輸出
要將計算機連接至S7-200，使用PPI多主站編程電纜是最常用和最經濟的方式。
6ES7 214-1AD23-0XB8 CPU224 DC/DC/DC 14輸入/10輸出
6ES7 214-1BD23-0XB8 CPU224 繼電器輸出 14輸入/10輸出
6ES7 214-2AD23-0XB8 CPU224XP DC/DC/DC 14DI/10DO 2AI/1AO
6ES7 214-2BD23-0XB8 CPU224XP 繼電器輸出 14DI/10DO 2AI/1AO
6ES7 216-2AD23-0XB8 CPU226 DC/DC/DC 24輸入/16輸出
6ES7 216-2BD23-0XB8 CPU226 繼電器輸出 24輸入/16輸出
擴展模塊
6ES7 221-1BF22-0XA8 EM221 8入 24VDC 開關量
6ES7 221-1EF22-0XA0 EM221 8入 120/230VAC 開關量
6ES7 222-1BF22-0XA8 EM222 8出 24VDC 開關量
6ES7 222-1EF22-0XA0 EM222 8出 120V/230VAC 0.5A 開關量
6ES7 222-1HF22-0XA8 EM222 8出 繼電器
6ES7 222-1BD22-0XA0 EM222 4出 24VDC 固態(tài)－MOSFET
在設計S7--200的接線時，應該提供一個單獨的開關，能夠同時切斷S7--200CPU、輸入電路和輸出電路的所有供電。
S7--200設備的設計采用自然對流散熱方式。
在器件的上方和下方都必須留有至少25 mm的空間，以便于正常的散熱。前面板與背板的板間距離也應保持至少75mm。
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