MITSUBISHI QJ61BT11N主單元磁傳感技術有更大發(fā)展空間
磁阻傳感器的基本原理是由于磁場變化引起磁阻的阻值變化，進而引起電壓變化來檢測磁場變化，具有可靠、耐用等很多特點。磁阻傳感器的發(fā)展趨勢一方面是精度更高，另一方面是集成度更高。磁阻以前被作為單獨的器件來使用，現(xiàn)在卻向集成的方向走。
TMR元件是近年來開始工業(yè)應用的新型磁電阻效應傳感器，MITSUBISHI QJ61BT11N主單元其利用的是磁性多層膜材料的隧道磁電阻效應對磁場進行感應，比之前所發(fā)現(xiàn)并實際應用的AMR元件和GMR元件具有更大的電阻變化率。作為GMR元件的下一代技術，TMR（MTJ）元件已完全取代GMR元件，被廣泛應用于硬盤磁頭領域。相信TMR磁傳感技術將在工業(yè)、生物傳感、磁性隨機存儲等領域有極大的發(fā)展與貢獻。
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