6ES7315-2AH14-0AB0
6ES7315-2AH14-0AB0 功率MOSFET最初是從MOS集成電路發(fā)展起來的，它通過增加源漏橫向距離提高器件耐壓，從而實(shí)現(xiàn)集成電路中高壓驅(qū)動(dòng)。功率MOSFET已大量應(yīng)用于電力電子，消費(fèi)電子、汽車電子和水聲工程等領(lǐng)域。雖然功率MOSFET具有效率高、結(jié)構(gòu)簡單、便于數(shù)字化控制等優(yōu)點(diǎn)，但是其采用的電力電子器件對(duì)過壓過流的承受能力較差，容易燒毀，因此保護(hù)電路的設(shè)計(jì)非常重要，并且要求保護(hù)響應(yīng)時(shí)間做到微秒級(jí)。功率MOSFET保護(hù)主要是指過流保護(hù)，對(duì)于過壓的情況一般采用吸收電路來進(jìn)行抑制。
在水聲發(fā)射機(jī)功率MOSFET的設(shè)計(jì)和使用中，常常由于輸入信號(hào)的異常和環(huán)境干擾，而導(dǎo)致功率放大器容易燒毀。
針對(duì)功率MOSFET易受損或燒壞的情況，在水聲發(fā)射機(jī)應(yīng)用中專門設(shè)計(jì)了一種以CPLD（復(fù)雜可編程邏輯器件）為核心器件的可編程保護(hù)電路。目前CPLD已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。它具有體系結(jié)構(gòu)/邏輯單元靈活、處理速度快、集成度高、可實(shí)現(xiàn)較大規(guī)模電路、編程靈活、設(shè)計(jì)開發(fā)周期短、設(shè)計(jì)制造成本低、開發(fā)工具先進(jìn)、標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無需測試、質(zhì)量穩(wěn)定、可實(shí)時(shí)在線檢驗(yàn)以及適用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，因此逐步被應(yīng)用于各類保護(hù)電路設(shè)計(jì)中。
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