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意法半導(dǎo)體P0400YM控制模塊FBM11的新系列功率MOSFET讓電源規(guī)劃人員結(jié)束商品效能最大化，一同前進作業(yè)穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5商品是國際首款兼?zhèn)涑Y(jié)技能長處與1500V漏源（drain-to-source）擊穿電壓（breakdown voltage）的晶體管，并已贏得亞洲及歐美首要客戶用于其首要規(guī)劃中。

P0400YM控制模塊FBM11推出國際首款1500V超結(jié)功率MOSFET，結(jié)束更環(huán)保、更安全的電源運用 

新商品瞄準核算機效勞器及工業(yè)主動化商場。效勞器請求更高的輔佐開關(guān)式電源輸出功率，一同電源穩(wěn)健性是最大極限削減斷電停機時刻的要害要素，電焊、工廠主動化等工業(yè)主動化運用也需要更大的輸出功率。這些運用的輸出功率在75W至230W之間或更高，超結(jié)MOSFET技能的超卓動態(tài)開關(guān)功用使其變成工業(yè)運用的最佳挑選。

意法半導(dǎo)體的MDmesh K5功率MOSFET系列將此項技能前進至一個全新的水平，單位面積同態(tài)電阻（Rds(on)）和柵電荷量（Qg）均創(chuàng)商場最低，并具有業(yè)界最佳的FoM（質(zhì)量因數(shù)） 。新商品是時下干流電源拓撲的抱負挑選，包含規(guī)范準諧振（quasi-resonant）有源鉗位反激式改換器以及LLC 半橋式改換器，均需要寬輸入電壓、高能效（高達96%）以及輸出功率近200W的電源。

該系列先推出的兩款商品是STW12N150K5和STW21N150K5，其最大漏源電流別離抵達7A和14A，柵電荷量僅為47nC（STW12N150K5）或通態(tài)電阻僅為0.9Ω（STW21N150K5）。兩款商品均已量產(chǎn)，選用TO-247封裝。亞德諾半導(dǎo)體(ADI)傳感器處理計劃包含 MEMS 加速度計、MEMS 陀螺儀、MEMS 慣性丈量單元(IMUs)、光學(xué)傳感器、各向異性磁阻(AMR)傳感器、溫度傳感器和霍爾效應(yīng)傳感器。這些高功用、元件分立式、即插即用式處理計劃高效、牢靠地處理了雜亂的規(guī)劃難題。

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