其磁控濺射鍍膜工藝流程如下圖:
磁控濺射鍍膜原理：
電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞, 電離出大量的氬離子和電子, 電子飛向基片. 氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材, 濺射出大量的靶材原子, 呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜.
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離子源型號 |
RFICP 220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
運行結(jié)果:
使用伯東KRI 聚焦射頻離子源 RFICP 220 輔助磁控濺射鍍制 3D 玻璃膜, 保證鍍膜的質(zhì)量, 所生產(chǎn)出的陶瓷手機(jī)蓋板鍍膜無論是環(huán)境脫膜測試, 耐刮測試, 膜層應(yīng)力測試等等… 都優(yōu)于目前一般業(yè)界蒸鍍機(jī)所搭配的離子源, 提高生產(chǎn)率.
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