因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)
KRI 考夫曼離子源 KDC 100
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 100 中型規(guī)格柵極離子源, 廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產(chǎn)設(shè)備中, 考夫曼離子源 KDC 100 采用雙陰極燈絲和自對(duì)準(zhǔn)柵極, 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 400 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 100 技術(shù)參數(shù)：
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型號(hào) |
KDC 100 |
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供電 |
DC magnetic confinement |
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- 陰極燈絲 |
2 |
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- 陽(yáng)極電壓 |
0-100V DC |
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電子束 |
OptiBeam? |
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- 柵極 |
專(zhuān)用, 自對(duì)準(zhǔn) |
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-柵極直徑 |
12 cm |
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中和器 |
燈絲 |
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電源控制 |
KSC 1212 |
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配置 |
- |
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- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
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- 安裝 |
移動(dòng)或快速法蘭 |
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- 高度 |
9.25' |
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- 直徑 |
7.6' |
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- 離子束 |
聚焦 |
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-加工材料 |
金屬 |
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-工藝氣體 |
惰性 |
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-安裝距離 |
8-36” |
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- 自動(dòng)控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架
KRI 考夫曼離子源 KDC 100 應(yīng)用領(lǐng)域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
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上海伯東: 羅先生 臺(tái)灣伯東: 王女士
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