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產(chǎn)品簡介
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 制備富硅SiNx薄膜
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 制備富硅SiNx薄膜
產(chǎn)品價(jià)格:¥1
上架日期:2021-03-15 15:43:14
產(chǎn)地:美國
發(fā)貨地:本地至全國
供應(yīng)數(shù)量:不限
最少起訂:1臺
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詳細(xì)說明

    云南某實(shí)驗(yàn)室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  射頻磁控濺射沉積方法在不同溫度的 Si100)襯底和石英襯底上制備了富硅 SiNx 薄膜用于研究硅量子點(diǎn) SiN 薄膜的光譜特性該實(shí)驗(yàn)?zāi)康氖?/span>優(yōu)化含硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜的制備參數(shù), 在硅基光電子器件的應(yīng)用方面有重要意義.

     

    伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

    離子源型號

    RFICP220

    Discharge

    RFICP 射頻

    離子束流

    >800 mA

    離子動(dòng)能

    100-1200 V

    柵極直徑

    20 cm Φ

    離子束

    聚焦,   平行,   散射

    流量

    10-40 sccm

    通氣

    Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    長度

    30 cm

    直徑

    41 cm

    中和器

    LFN 2000

    可選燈絲中和器可變長度的增量

    KRI 射頻離子源 RFICP 220

    實(shí)驗(yàn)室采用 Fourier 變換紅外光譜、Raman 光譜、掠入射 X 射線衍射和光致發(fā)光光譜對退火后的薄膜樣品進(jìn)行了表征.

     

    KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.

     

    因此,  該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

     

    伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的代理商.

     

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