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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
innodisk內(nèi)存條 DDR3 4G M3S0-4GSJDCPC
innodisk內(nèi)存條 DDR3 4G M3S0-4GSJDCPC
產(chǎn)品價(jià)格：￥
上架日期：2021-10-21 15:31:32
產(chǎn)地：本地
發(fā)貨地：本地至全國(guó)
供應(yīng)數(shù)量：不限
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詳細(xì)說(shuō)明

    嵌入式系統(tǒng)系列

    我們的嵌入式系統(tǒng)符合JEDEC內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，并提供各種不同外觀尺寸、容量、速度，以優(yōu)化嵌入式系統(tǒng)的表現(xiàn)。
    產(chǎn)品特色
    • Small Outline Dual In-line Memory Module
    • Fully Tested and Optimized for Stability and Perbance
    • Uses Original IC to Meet Strict Industrial Standards
    • JEDEC Standard 1.5V (1.425V~1.575V) & 1.35V (1.28V~1.45V)
    • Operating Environment : 0°C ~ 85°C
    • RoHS Compliance
    • CE/FCC Certification

    Overview:


    DDR3 SODIMM memory (small outline) is a compact industrial standards memory module that fits neatly into any bded, surveillance and automation setup. DDR3 SODIMM memory comply with all relevant JEDEC standards and are available in 1GB, 2GB, 4GB, and 8GB capacities and with data transfer rates of 1066MT/s, 1333MT/s, 1600MT/s, and 1866MT/s.



    DDR3 SODIMM內(nèi)存（小外框）是一種緊湊的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存模塊，可巧妙地安裝在任何嵌入式、監(jiān)控和自動(dòng)化設(shè)置中。DDR3 SODIMM內(nèi)存符合所有相關(guān)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，具有1GB、2GB、4GB和8GB容量，數(shù)據(jù)傳輸速率分別為1066MT/s、1333MT/s、1600MT/s和1866MT/s。



    規(guī)格：

    Interface DDR3
    Form Factor SODIMM
    Data Rate 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s
    Capacity 1GB, 2GB, 4GB, 8GB
    Function Non-ECC Unbuffered Memory
    Pin Number 204pin
    Width 64Bits
    Voltage 1.5V, 1.35V
    PCB Height 1.18 Inches
    Operating Temperature 0°C to 85°C

    產(chǎn)品料號(hào)：


    Density Component
    Comb     		Part Number Rank Voltage Debion
    1GB 128Mx16 M3S0-1GSWFLQE 1Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
    2GB 256Mx16 M3S0-2GSVFLQE 1Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
    2GB 256Mx8 M3S0-2GSJCLQE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
    4GB 256Mx8 M3S0-4GSJDLQE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
    4GB 256Mx16 M3S0-4GSV0LQE 2Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
    4GB 512Mx8 M3S0-4GSSCLQE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
    8GB 512Mx8 M3S0-8GSSDLQE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
    4GB 1866MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0CQE
    4GB 1600MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0CPC
    4GB 1333MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0CN9
    4GB 1866MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0CQE
    4GB 1600MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0CPC
    4GB 1333MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0CN9
    4GB 1866MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDCQE
    4GB 1600MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDCPC
    4GB 1333MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDCN9
    4GB 1066MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDCM7
    4GB 800MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDCL6
    4GB 1866MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDCQE
    4GB 1600MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDCPC
    4GB 1333MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDCN9
    4GB 1866MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCCQE
    4GB 1600MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCCPC
    4GB 1333MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCCN9
    4GB 1866MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCCQE
    4GB 1600MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCCPC
    4GB 1333MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCCN9
    4GB 1866MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDLQE
    4GB 1600MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDLPC
    4GB 1333MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDLN9
    4GB 1066MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDLM7
    4GB 800MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDLL6
    4GB 1866MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDLQE
    4GB 1600MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDLPC
    4GB 1333MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDLN9
    4GB 1866MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0LQE
    4GB 1600MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0LPC
    4GB 1333MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0LN9
    4GB 1866MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0LQE
    4GB 1600MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0LPC
    4GB 1333MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0LN9
    4GB 1866MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCLQE
    4GB 1600MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCLPC
    4GB 1333MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCLN9
    4GB 1866MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCLQE
    4GB 1600MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCLPC
    4GB 1333MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCLN9



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