對應(yīng)底座KJ3223X1-EA1“尖銳交鋒”
對應(yīng)底座KJ3223X1-EA1“尖銳交鋒”
故該工藝和設(shè)備在完結(jié)實驗后已運用于工業(yè)出產(chǎn)。出產(chǎn)實踐證明，它能滿意出產(chǎn)需求。金泥的處理鐵漿法金泥的產(chǎn)出率一般為精礦的1%左右，金泥含金常只1%～5%，富集比小。鑒于金泥含金檔次低，給下一步的提純帶來困難，故多選用火法熔煉或濕法冶金處理。金泥的火法熔煉能夠選用坩堝爐、小型電爐、轉(zhuǎn)爐或灰吹爐處理。因為金泥含金低、組分雜亂，特別是鉛、銅、鉍等金屬的存在，需求進行長時刻的氧化熔煉才干除掉，給火法熔煉帶來困難。DCS的結(jié)構(gòu)是怎樣的?是一個較為的DCS系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖，從結(jié)構(gòu)上劃分，DCS包括過程級、操作級和管理級。過程級主要由過程控制站、1/0單元和現(xiàn)場儀表組成，是系統(tǒng)控制功能的主要實施部分.操作級包括:操作員站和工程師站，完成系統(tǒng)的操作和組態(tài).管理級主要是折工J’管理信息系統(tǒng)(MIS系統(tǒng))，作為DCS更高層次的應(yīng)用，目前國內(nèi)紙行業(yè)應(yīng)用到這一層的系統(tǒng)較少。
National Instruments n114
NATIONAL INSTRUMENTS FP-TC-120 8-CH Termocoppia Input W/FP-TB-3 (K51)
183480e-01 National Instruments pci-dio-32hs 高速 DAQ 卡
National Instruments Ni swb-2816a 矩陣模塊適用于 switchblock
National Instruments Ni swb-2816b 矩陣模塊適用于 switchblock
美國儀器 Ni pxi-6528 隔離數(shù)字 I/O 板使用
美國儀器 Ni pci-mxi-2 接口
美國儀器 Ni PCI-可以/dscard 測試
美國儀器 Ni cfp-rtd-122 溫度輸入模塊
美國儀器 Ni pci-6601 184479f-02 麥克風(fēng) 2002 卡
National Instruments 183617g-01 PCI-GPIB IEEE 488.2 PCI 控制卡
美國儀器 Ni scxi 1121 4 通道通用輸入模塊
AM/National Instruments pxi-1045 18 槽通用交流 PXI 底盤
National Instruments Ni pci-6519 191649b-05 數(shù)字 I/O 卡模塊
National Instruments, Ni Pxi 8186, Geprüft Gut
National Instruments pci-6503 迪歐 185183f-01 數(shù)據(jù)采集
美國儀器 Ni pxie-8135 2.3 GHz 四核英特爾酷睿 i7-3610qe
美國儀器 Ni pxi-8461 可以系列 2 網(wǎng)卡使用
NATIONAL INSTRUMENTS NI DAQPad-6052E Acquisition Module (GS10)
National Instruments scxi-1000 主機。
Ni National Instruments 780591-02 pci-8430/16 rs232 串行接口設(shè)備
NATIONAL INSTRUMENTS NI SCXI-1000 181445K-31 REV 4 4-SLOT CHASSIS(R3S8.6)
National Instruments Ni pxi-2594 2.5ghz 50 多路轉(zhuǎn)接器模塊
NATIONAL INSTRUMENTS NI SCXI-1000 4-SLOT Chasis (GV11)
美國儀器 pc-labcard pcl-848a/b IEEE - 488
某批TA18鈦合金管材在從斷面70mm8mm冷軋至55mm6mm的過程中出現(xiàn)大量的開裂，宏觀觀察裂紋沿著管體縱向局部分布，管體表面沒有明顯劃傷的,裂紋穿透了管壁，形成穿透型裂紋，導(dǎo)致該批管材60%報廢。為了查明該TA18合金管材冷軋開裂原因，在典型的開裂部位和正常部位上取樣，分析化學(xué)成分、顯微組織、斷口形貌和組織的顯微硬度，并對開裂原因進行分析研究。在斷口開裂部位和正常部位分別取樣3個，采用ICP全譜直讀光譜儀和TC-600氧氮分析儀測定其化學(xué)成分。
美國儀器 Ni scxi 1102 32 通道差分多路復(fù)用器/放大器
品名 型號 編碼
執(zhí)行器 IC50-07Q7TR10for 75459283
執(zhí)行器 AVKT5H9S2/B 75449378
執(zhí)行器 AVKT5H9S/B 75448573
執(zhí)行器 AVKT5H9/B 75448572
執(zhí)行器 AVKT5H6LS/B 74919313
執(zhí)行器 AVKT5H6L/B 74920588
執(zhí)行器 AVKT59Z/B 75449323
執(zhí)行器 AVKT59SR/B 74921856
執(zhí)行器 AVKT59SFZ/B 74921879
執(zhí)行器 AVKT59S2/B 75449554
執(zhí)行器 AVKT59S/B 75448312
執(zhí)行器 AVKT59R/B 74959360
DCS的結(jié)構(gòu)是怎樣的?
執(zhí)行器 AVKT59F/B 75449294
執(zhí)行器 AVKT59F/B 74919338
直流供電電源模板6ES74050KA020AA0
直流供電電源模板6ES74050KR020AA0
直流供電電源模板6ES74050RA020AA0
交流供電電源模板6ES74070DA020AA0
交流供電電源模板6ES74070KA020AA0
交流供電電源模板6ES74070KR020AA0
交流供電電源模板6ES74070RA020AA0
RAM卡6ES79520AF000AA0
RAM卡6ES79521AH000AA0
RAM卡6ES79521AK000AA0
RAM卡6ES79521AL000AA0
RAM卡6ES79521AM000AA0
RAM卡6ES79521AP000AA0
RAM卡6ES79521AS000AA0
從這一方面來看，堿金屬對降低焦比是有利的，但其作用有限。軟熔性能高爐冶煉時要求燒結(jié)礦具有較高的軟熔溫度和較窄的軟熔溫度區(qū)間，使高爐內(nèi)的軟熔帶處于較低的位置。當(dāng)燒結(jié)礦堿度相同時，燒結(jié)礦中堿金屬含量越高，其軟熔溫度越低。原因在于堿金屬含量高時，將會和其它化合物反應(yīng)而生成一些低熔點物質(zhì)，從而使燒結(jié)礦軟熔溫度明顯降低。而釩欽燒結(jié)礦高爐冶煉過程中鈣、鐵、硅的氧化物在還原氣氛下固液反應(yīng)生成的低熔點化合物鈣鐵橄欖石數(shù)量有限，其滴落溫度升高，從而使軟熔溫度區(qū)間變寬。
RAM卡6ES79521AY000AA0
FLASH EPROM卡6ES79520KF000AA0
FLASH EPROM卡6ES79520KH000AA0
FLASH EPROM卡6ES79521KK000AA0
FLASH EPROM卡6ES79521KL000AA0
FLASH EPROM卡6ES79521KM000AA0
SIEMENS西門子計時器 2XV9450-1AU06
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