AB羅克韋爾2711-K5A8/G觸摸屏喜歡您來
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LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞,關(guān)于這個(gè)問題,也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗,簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實(shí)際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變,那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。
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與其他靈敏的SMU相比,4201-SMU和4211-SMU的電容指標(biāo)已經(jīng)提高,這些SMU模塊用于可配置的Model4200A-SCS參數(shù)分析儀,使用Clarius+軟件進(jìn)行交互控制。本文探討了4201-SMU和4211-SMU可以進(jìn)行穩(wěn)定的弱電流測(cè)量的多種應(yīng)用實(shí)例,包括測(cè)試:平板顯示器上的OLED像素器件、長(zhǎng)電纜MOSFET傳遞特點(diǎn)、通過開關(guān)矩陣連接的FET、卡盤上的納米FETI-V測(cè)量、電容器泄漏測(cè)量。
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SGMSS-20A2A-YR11
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單模光纖底板DC-SDRX01是否為CC-SDRX01
控制器卡件CC-PCNT02是否為CC-PCNT01
控制器底板DC-TCNT01是否為CC-TCNT01
防火墻卡件CC-PCF901
防火墻底板DC-TCF902
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