| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 型號 | MDD95-16N1B | ||
| 材質(zhì) | 詳詢 | ||
| 封裝方式 | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 | ||
| 額定整流電流 | 95A | ||
| 正向電壓降 | 1600V | ||
| 最大反向工作電壓 | 1600V | ||
| 擊穿電壓 | 1600V | ||
| 最大反向漏電流 | 95A | ||
| 重量 | /kg | ||
| 規(guī)格 | / | ||
| 加工定制 | 否 | ||
| 封裝 | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 | ||
| 批號 | 20 | ||
| 品牌 | 艾賽斯 | ||
德國IXYS艾賽斯可控硅模塊--可控硅有多種分類方法。
（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
?。ǘ┌匆_和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
?。ㄈ┌捶庋b形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
?。ㄋ模┌措娏魅萘糠诸悾嚎煽毓璋措娏魅萘靠煞譃榇蠊β士煽毓琛⒅泄β士煽毓韬托」β士煽毓枞N。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
?。ㄎ澹┌搓P(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。
?。┻^零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。
?。ㄆ撸┓沁^零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā)，即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角（角相位），來改變輸出百分比。
可控硅型號
按一機(jī)部IBI144一75的規(guī)定，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號采用如下格式標(biāo)注:額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)。正反向重復(fù)蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標(biāo)志。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。
綜上所述，小結(jié)如下:
(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由PNPN四層組成。
(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。
(3)可控硅導(dǎo)通后，當(dāng)陽極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷。
(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區(qū)。
(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅。
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艾賽斯IXYS半控可控硅模塊：
