產品參數(shù) | |||
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型號 | BSM300GA120DN2 | ||
批號 | 22 | ||
封裝 | 標準封裝 | ||
包裝 | 盒裝 | ||
材質 | 硅 | ||
輸出電流 | 300A | ||
輸入電壓 | 1200V | ||
用途 | 電源模塊 | ||
是否進口 | 是 | ||
加工定制 | 否 | ||
工作環(huán)境 | 室內式 | ||
數(shù)量 | 999 | ||
品牌 | 英飛凌 |
上海萱鴻電子提供巴斯曼Bussmann、英飛凌infineon、西門康、西門子Siemens、三社、艾賽斯、日之出、富士等廠家熔斷器、可控硅模塊、晶閘管、IGBT模塊、二極管整流橋的半島體模塊.
BSM300GA120DN2?單向可控硅 功率半導體igbt 英飛凌晶閘管 全新原裝
1 IGBT額定電壓的選擇
三相380V輸入電壓經過整流和濾波后,直流電壓的值:
在開關工作的條件下,fGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級,選擇1 電壓等級的IGBT。
2 IGBT額定電流的選擇
以30kW器為例,負載電流約為79A,由于負載電氣啟動或加速時,電流過載,一般要求1分鐘的時間內,承受1.5倍的過流,擇負載電流約為 ,建議選擇電流等級的IGBT。
3 IGBT開關參數(shù)的選擇
的開關頻率一般小于10 kH Z,而在實際工作的過程中,fGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大,建議選擇低通態(tài)型IGBT,以30 kW ,逆變頻率小于10kH z的變頻器為例,選擇IGBT的開關參數(shù)見表1。
4 影響IGBT可靠性因素
1)柵電壓。
IGBT工作時,必須有正向柵電壓,常用的柵驅動電壓值為15~187,用到20V, 而棚電壓與柵極Rg有很大關系,在設計IGBT驅動電路時, 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值,設計合適驅動參數(shù),保證合理正向柵電壓。因為IGBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關系,正向柵電壓越高,開通損耗越小,正向壓降也咯小。
在橋式電路和大功率應用情況下,為了避免干擾,在IGBT關斷時,柵極加負電壓,一般在-5- 15V,保證IGBT的關斷,避免Miller效應影響。
2)Miller效應。
為了降低Miller效應的影響,在IGBT柵驅動電路中采用改進措施:(1)開通和關斷采用不同柵電阻Rg,on和Rg,off,確保IGBT的有效開通和關斷;(2)柵源間加c,對Miller效應產生的電壓進行能量泄放;(3)關斷時加負柵壓。在實際設計中,采用三者合理組合,對改進Mille r效應的效果更佳。
5 結束語
(1)IGBT是逆變器主要使用的主要功率開關器件,也是逆變器中主要工作器件,合理選擇IGBT是保證IGBT可靠工作的前提,同時,要根據(jù)三相逆變電路結構的特點,選擇低通態(tài)型IGBT為佳。