| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 型號(hào) | SKM200GAR123D | ||
| 用途 | IGBT | ||
| 封裝外形 | 標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 材料 | 硅 | ||
| 是否進(jìn)口 | 是 | ||
| 極間電容 | 詳詢pF | ||
| 開(kāi)啟電壓 | 1200V | ||
| 夾斷電壓 | 1200V | ||
| 最大漏極電流 | 200A | ||
| 最大散熱功率 | 詳詢mW | ||
| 產(chǎn)品認(rèn)證 | 3C | ||
| 數(shù)量 | 999 | ||
| 封裝 | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 | ||
| 批號(hào) | 22 | ||
| 品牌 | 上海萱鴻電子 | ||
公司主營(yíng)巴斯曼Bussmann、英飛凌infineon、西門(mén)康、西門(mén)子Siemens、三社、艾賽斯、日之出、富士等廠家熔斷器、可控硅模塊、晶閘管、IGBT模塊、二極管整流橋的半島體模塊，咨詢熱線：巴斯曼Bussmann、英飛凌infineon、西門(mén)康、西門(mén)子Siemens、三社、艾賽斯、日之出、富士等廠家熔斷器、可控硅模塊、晶閘管、IGBT模塊、二極管整流橋的半導(dǎo)體模塊。歡迎咨詢： SKM200GAR123D IGBT驅(qū)動(dòng)模塊 雙向可控硅電子元件西門(mén)康全新原裝
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