.jpg "IXTN200N10L2德國(guó)IXYS艾賽斯電子元器件二極管模塊")
| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 型號(hào) | IXTN200N10L2 | ||
| 封裝 | 二極管模塊 | ||
| 批號(hào) | 新年份 | ||
| 數(shù)量 | 200 | ||
| 制造商 | IXYS | ||
| 產(chǎn)品種類 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安裝風(fēng)格 | Chassis Mount | ||
| 封裝 / 箱體 | SOT-227-4 | ||
| 通道數(shù)量 | 1 Channel | ||
| 晶體管極性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源極擊穿電壓 | 100 V | ||
| Id-連續(xù)漏極電流 | 178 A | ||
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻 | 11 mOhms | ||
| Vgs - 柵極-源極電壓 | 20 V | ||
| 最大工作溫度 | 150 C | ||
| Pd-功率耗散 | 830 W | ||
| 配置 | Single | ||
| 系列 | IXTN200N10 | ||
| 晶體管類型 | 1 N-Channel | ||
| 正向跨導(dǎo) - 最小值 | 90 S/55 S | ||
| 單位重量 | 30 g | ||
| 品牌 | IXYS/艾賽斯 | ||
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