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晶界是化學(xué)氣相沉積（CVD）制備的大面積石墨烯薄膜中普遍存在的缺陷。深入理解晶界對石墨烯的電學(xué)和熱學(xué)性質(zhì)的影響對發(fā)展基于石墨烯的電子、光電和熱電器件具有重要意義。盡管目前對于單個晶界對石墨烯性質(zhì)影響的研究較多，但宏觀尺度上晶粒尺寸對石墨烯電學(xué)和熱學(xué)性質(zhì)的影響尚不清楚。其主要原因是基于的析出（鎳基體）或表面吸附生長（銅基體）機制的CVD生長無法在大范圍內(nèi)調(diào)控石墨烯的晶粒尺寸，制備晶粒尺寸小于電子和聲子平均程（約1微米）的小晶粒石墨烯尤為困難。
