功率(KW)
50
100
160
250
500
1000
>1000
頻率
10-1
10-1
8-1
6-1
2.5-0.5
1-0.5
1-0.2
溫度(攝氏度)
1250-1100特殊材質(zhì)如鉬,溫度可達1500攝氏度以上
直徑(mm)
10-2.5
10-30
15-40
15-80
50-100
80-100
>100
加熱率(kg/h)
145
300
444
750
1500
3000
>3000
電耗(KW.h/t)
<360
1、中頻電源逆變可控硅水冷套內(nèi)斷水或散熱效果下降更換水冷套。有時觀察水冷套的出水量和壓力是足夠的,但經(jīng)常由于水質(zhì)問題,在水冷套的壁上附著一層水垢,由于水垢是一種導熱性級差的物體,雖然有足夠的水流量流過,但因為水垢的隔離是其散熱效果大大降低。其判斷方法是:將功率運行在較低于該過流值的功率下約十分鐘,迅速停機,停機后迅速用手觸摸可控硅元件的芯部,若感覺到燙手,則該故障是由此原因引起的。
2、槽路連接導線有接觸不良和斷線情況,檢查槽路連接導線,根據(jù)實際情況酌情處理。當槽路連接導線有接觸不良或斷線情況時,功率升到一定值后會產(chǎn)生打火現(xiàn)象,影響了設(shè)備的正常工作,從而導致設(shè)備保護動作。有時因打火時會在可控硅兩端產(chǎn)生瞬時過電壓,如果過壓保護動作來不及,會燒壞可控硅元件。該現(xiàn)象經(jīng)常會出現(xiàn)過電壓、過電流同時動作。
3、負載對地絕緣降低,負載回路的絕緣降低,引起負載對地間打火,干擾了脈沖的觸發(fā)時間或在可控硅兩端形成高壓,燒壞可控硅元件。
4、中頻電源可控硅在反相關(guān)斷時,承受反向電壓的瞬時毛刺電壓過高;在中頻電源的主電路中,瞬時反相毛刺電壓是靠阻容吸收來吸收的。如果吸收電路中電阻、電容開路均會使瞬時反相毛刺電壓過高燒壞可控硅。在斷電的情況下用萬用表測量吸收電阻阻值、吸收電容容量,判斷是否阻容吸收回路出現(xiàn)故障。
5、脈沖觸發(fā)回路故障;在設(shè)備運行時如果突然丟失觸發(fā)脈沖,將造成逆變開路,中頻電源輸出端產(chǎn)生高壓,燒壞可控硅元件。這種故障一般是逆變脈沖形成、輸出電路故障,可用示波器進行檢查,也可能是逆變脈沖引線接觸不良,可用手搖晃導線接頭,找出故障位置。
6、設(shè)備在運行時負載開路;當設(shè)備正在大功率運行時,如果突然負載處于開路狀態(tài),將在輸出端形成高壓燒壞可控硅元件。
7、設(shè)備在運行時負載短路;當設(shè)備在大功率運行時,如果負載突然處于短路狀態(tài),將對可控硅有一個很大的短路電流沖擊,若過電流保護動作不及時保護,將燒壞可控硅元件。
8、保護系統(tǒng)故障(保護失靈);可控硅能否安全,主要是由保護系統(tǒng)來保證的,如果保護系統(tǒng)出現(xiàn)故障,設(shè)備稍有一點工作不正常,將危機到可控硅安全。所以,當可控硅燒壞時對保護系統(tǒng)的檢查是必不可少的。
9、可控硅冷卻系統(tǒng)故障;可控硅在工作時發(fā)熱量很大,需要對其冷卻才能保證正常工作,一般可控硅的冷卻有兩種方式:一種是水冷,另一種是風冷。水冷的應用較為廣泛,風冷一般只用于100KW以下的電源設(shè)備。通常采用水冷方式的中頻設(shè)備均設(shè)有水壓保護電路,但基本上都是總進水的保護,若某一路出現(xiàn)水堵,是無法保護的。
10、電抗器故障;電抗器內(nèi)部打火造成逆變側(cè)的電流斷續(xù),也會在逆變輸入側(cè)產(chǎn)生高壓燒壞可控硅。另外,如果在維修中更換了電抗器,而電抗器的電感量、鐵芯面積小于要求值,會使電抗器在大電流工作時,因飽和失去限流作用燒壞可控硅。