貼片電容介紹：
貼片電容名片式積層電容是一次性高溫?zé)Y(jié)而成的也是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合而成。
貼片電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介：
貼片電容主要包括三大部分：陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極、端電極.其中陶瓷介質(zhì)的主要作用是在電場(chǎng)作用下，極化介電儲(chǔ)能。當(dāng)電場(chǎng)變化時(shí)極化率相應(yīng)發(fā)生變化時(shí)，由于不同介質(zhì)種類(lèi)的主要極化類(lèi)型不同，其對(duì)電場(chǎng)變化的響應(yīng)速度和極化率也不相同。
電極分為內(nèi)電極與端電極。其中內(nèi)電極位于貼片電容器內(nèi)部，主要提供電極板正對(duì)面積，它與介質(zhì)一般是交替疊放。
貼片電容是一種小型電容器，它的封裝規(guī)格有0201 0402 0603 0805 1206等幾種，材質(zhì)有X7R Z5U Y5V NPO四種，最常用的是X7R與NPO材質(zhì)。
今天我們講解貼片電容M檔與Z檔的區(qū)別首先我們要知道M與Z的意思，其中M代表±20%的容量誤差，Z代表正80%負(fù)20%的容量誤差。
例：0805 10uf電容，如果M檔則表示誤差在8uf-12uf之間浮動(dòng)，Z檔則為8uf-18uf之間浮動(dòng)。
貼片電容簡(jiǎn)介：
全稱(chēng)：多層（積層、疊層）片式陶瓷電容器，也稱(chēng)為貼片電容、片容，英文縮寫(xiě)：MLCC
主要規(guī)格尺寸，按英制標(biāo)準(zhǔn)分為：02010402060308051206以及大規(guī)格的1210180818122220222530123035等。
容量范圍：0.5pF100uF其中，一般認(rèn)為容量在1uF以上為大容量電容。
額定電壓：從4V4KVDC當(dāng)額定電壓在100V及以上時(shí)，即歸納為中高壓產(chǎn)品。
片式電容的穩(wěn)定性及容量精度與其采用的介質(zhì)資料存在對(duì)應(yīng)關(guān)系，主要分為三大類(lèi)別。
貼片電容0805系列厚度一般為0.85或者1.25，但是我司可制造1.0特殊厚度，如有需要請(qǐng)?zhí)崆邦A(yù)訂。
貼片電容介質(zhì)是以COG/NPO為I類(lèi)介質(zhì)的高頻電容器，其溫度系數(shù)為±30ppm/℃，電容量非常穩(wěn)定，幾乎不隨溫度、電壓和時(shí)間的變化而變化，主要應(yīng)用于 高頻電子線(xiàn)路，如振蕩、計(jì)時(shí)電路等;其容量精度主要為±5，以及在容量低于10pF時(shí)，可選用B檔(±0.1pF)、C檔(±0.25pF)、D檔 (±0.5pF)三種精度。
以X7R為II類(lèi)介質(zhì)的中頻電容器，其溫度系數(shù)為±15，電容量相對(duì)穩(wěn)定，適用于各種旁路、耦合、濾波電路等，其容量精度主要為K檔(±10)。特殊情況下，可提供J檔(±5)精度的產(chǎn)品。
不同品種的電容器，最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以?xún)?nèi);圓片型瓷介電容器為300MHZ;圓管型瓷介電容器為200MHZ;圓盤(pán)型瓷介可達(dá)3000MHZ;小型紙介電容器為80MHZ;中型紙介電容器只有8MHZ。
以Y5V為III類(lèi)介質(zhì)的低頻電容器，其溫度系數(shù)為：+30～-80，電容量受溫度、電壓、時(shí)間變化較大，一般只適用于各種濾波電路中。其容量精度主要為Z檔(+80～-20)，也可選擇±20精度的產(chǎn)品。
貼片電容介質(zhì)強(qiáng)度表征的是介質(zhì)材料承受高強(qiáng)度電場(chǎng)作用而不被電擊穿的能力,通常用伏特/密爾(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示. 當(dāng)外電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到某一臨界值時(shí),材料晶體點(diǎn)陣中的電子克服電荷恢復(fù)力的束縛并出現(xiàn)場(chǎng)致電子發(fā)射,產(chǎn)生出足夠多的自由電子相互碰撞導(dǎo)致雪崩效應(yīng),進(jìn)而導(dǎo)致突發(fā)擊穿電流擊穿介質(zhì),使其失效.除此之外,介質(zhì)失效還有另一種模式,高壓負(fù)荷下產(chǎn)生的熱量會(huì)使介質(zhì)材料的電阻率降低到某一程度,如果在這個(gè)程度上延續(xù)足夠長(zhǎng)的時(shí)間,將會(huì)在介質(zhì)最薄弱的部位上產(chǎn)生漏電流.這種模式與溫度密切相關(guān),介質(zhì)強(qiáng)度隨溫度提高而下降.
任何絕緣體的本征介質(zhì)強(qiáng)度都會(huì)因?yàn)椴牧衔⒔Y(jié)構(gòu)中物理缺陷的存在而出現(xiàn)下降,而且和絕緣電阻一樣,介質(zhì)強(qiáng)度也與幾何尺寸密切相關(guān).由于材料體積增大會(huì)導(dǎo)致缺陷隨機(jī)出現(xiàn)的概率增大,因此介質(zhì)強(qiáng)度反比于介質(zhì)層厚度.類(lèi)似地,介質(zhì)強(qiáng)度反比于片式電容器內(nèi)部電極層數(shù)和其物理尺寸.基於以上考慮,進(jìn)行片式電容器留邊量設(shè)計(jì)時(shí)需要確保在使用過(guò)程中和在進(jìn)行耐壓測(cè)試(一般為其工作電壓的2.5倍)時(shí),不發(fā)生擊穿失效.
