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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
三星1812貼片電容供應(yīng)工廠
三星1812貼片電容供應(yīng)工廠
產(chǎn)品價(jià)格:¥0.03
上架日期:2019-11-21 16:37:50
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詳細(xì)說(shuō)明


    貼片電容介紹:

    貼片電容名片式積層電容是一次性高溫?zé)Y(jié)而成的也是由印好電極(內(nèi)電極)的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合而成。


    貼片電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介:

    貼片電容主要包括三大部分:陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極、端電極.其中陶瓷介質(zhì)的主要作用是在電場(chǎng)作用下,極化介電儲(chǔ)能。當(dāng)電場(chǎng)變化時(shí)極化率相應(yīng)發(fā)生變化時(shí),由于不同介質(zhì)種類的主要極化類型不同,其對(duì)電場(chǎng)變化的響應(yīng)速度和極化率也不相同。


    電極分為內(nèi)電極與端電極。其中內(nèi)電極位于貼片電容器內(nèi)部,主要提供電極板正對(duì)面積,它與介質(zhì)一般是交替疊放。



    貼片電容是一種小型電容器,它的封裝規(guī)格有0201 0402 0603 0805 1206等幾種,材質(zhì)有X7R Z5U Y5V NPO四種,最常用的是X7R與NPO材質(zhì)。



    今天我們講解貼片電容M檔與Z檔的區(qū)別首先我們要知道M與Z的意思,其中M代表±20%的容量誤差,Z代表正80%負(fù)20%的容量誤差。


    例:0805 10uf電容,如果M檔則表示誤差在8uf-12uf之間浮動(dòng),Z檔則為8uf-18uf之間浮動(dòng)。



    貼片電容簡(jiǎn)介:


    全稱:多層(積層、疊層)片式陶瓷電容器,也稱為貼片電容、片容,英文縮寫(xiě):MLCC

    主要規(guī)格尺寸,按英制標(biāo)準(zhǔn)分為:02010402060308051206以及大規(guī)格的1210180818122220222530123035等。

    容量范圍:0.5pF100uF其中,一般認(rèn)為容量在1uF以上為大容量電容。

    額定電壓:從4V4KVDC當(dāng)額定電壓在100V及以上時(shí),即歸納為中高壓產(chǎn)品。

    片式電容的穩(wěn)定性及容量精度與其采用的介質(zhì)資料存在對(duì)應(yīng)關(guān)系,主要分為三大類別。

    貼片電容0805系列厚度一般為0.85或者1.25,但是我司可制造1.0特殊厚度,如有需要請(qǐng)?zhí)崆邦A(yù)訂。


    貼片電容介質(zhì)是以COG/NPO為I類介質(zhì)的高頻電容器,其溫度系數(shù)為±30ppm/℃,電容量非常穩(wěn)定,幾乎不隨溫度、電壓和時(shí)間的變化而變化,主要應(yīng)用于 高頻電子線路,如振蕩、計(jì)時(shí)電路等;其容量精度主要為±5,以及在容量低于10pF時(shí),可選用B檔(±0.1pF)、C檔(±0.25pF)、D檔 (±0.5pF)三種精度。



    X7R為II類介質(zhì)的中頻電容器,其溫度系數(shù)為±15,電容量相對(duì)穩(wěn)定,適用于各種旁路、耦合、濾波電路等,其容量精度主要為K檔(±10)。特殊情況下,可提供J檔(±5)精度的產(chǎn)品。


    不同品種的電容器,最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內(nèi);圓片型瓷介電容器為300MHZ;圓管型瓷介電容器為200MHZ;圓盤(pán)型瓷介可達(dá)3000MHZ;小型紙介電容器為80MHZ;中型紙介電容器只有8MHZ。




    Y5V為III類介質(zhì)的低頻電容器,其溫度系數(shù)為:+30~-80,電容量受溫度、電壓、時(shí)間變化較大,一般只適用于各種濾波電路中。其容量精度主要為Z檔(+80~-20),也可選擇±20精度的產(chǎn)品。



    貼片電容介質(zhì)強(qiáng)度表征的是介質(zhì)材料承受高強(qiáng)度電場(chǎng)作用而不被電擊穿的能力,通常用伏特/密爾(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示. 當(dāng)外電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到某一臨界值時(shí),材料晶體點(diǎn)陣中的電子克服電荷恢復(fù)力的束縛并出現(xiàn)場(chǎng)致電子發(fā)射,產(chǎn)生出足夠多的自由電子相互碰撞導(dǎo)致雪崩效應(yīng),進(jìn)而導(dǎo)致突發(fā)擊穿電流擊穿介質(zhì),使其失效.除此之外,介質(zhì)失效還有另一種模式,高壓負(fù)荷下產(chǎn)生的熱量會(huì)使介質(zhì)材料的電阻率降低到某一程度,如果在這個(gè)程度上延續(xù)足夠長(zhǎng)的時(shí)間,將會(huì)在介質(zhì)最薄弱的部位上產(chǎn)生漏電流.這種模式與溫度密切相關(guān),介質(zhì)強(qiáng)度隨溫度提高而下降.




    任何絕緣體的本征介質(zhì)強(qiáng)度都會(huì)因?yàn)椴牧衔⒔Y(jié)構(gòu)中物理缺陷的存在而出現(xiàn)下降,而且和絕緣電阻一樣,介質(zhì)強(qiáng)度也與幾何尺寸密切相關(guān).由于材料體積增大會(huì)導(dǎo)致缺陷隨機(jī)出現(xiàn)的概率增大,因此介質(zhì)強(qiáng)度反比于介質(zhì)層厚度.類似地,介質(zhì)強(qiáng)度反比于片式電容器內(nèi)部電極層數(shù)和其物理尺寸.基於以上考慮,進(jìn)行片式電容器留邊量設(shè)計(jì)時(shí)需要確保在使用過(guò)程中和在進(jìn)行耐壓測(cè)試(一般為其工作電壓的2.5倍)時(shí),不發(fā)生擊穿失效.



    正確選擇一顆貼片電容時(shí),除了要提供其規(guī)格尺寸及容量大小外,還必須特別注意到電路對(duì)這顆片式電容的溫度系數(shù)、額定電壓等參數(shù)的要求。貼片電容標(biāo)準(zhǔn)命名方法及定義:貼片電容的命名,國(guó)內(nèi)和國(guó)外的產(chǎn)家有一此區(qū)別但所包含的參數(shù)是一樣的


    相信很多人被一個(gè)問(wèn)題困擾著,那就是貼片電容容量不好識(shí)別,特別是個(gè)人使用有時(shí)候想換個(gè)電容都不知道要怎么換,為何貼片電容上面沒(méi)有印字識(shí)別呢?首先貼片電容不同于電阻,電容材質(zhì)是陶瓷產(chǎn)品,在生產(chǎn)中無(wú)法絲印字體上去,一般標(biāo)識(shí)都貼在封裝上面,所以大家在購(gòu)買(mǎi)時(shí)要看好盤(pán)裝上的標(biāo)簽。如果您不懂貼片電容轉(zhuǎn)換法可參考我司另一篇新聞:貼片電容單位換算法



    如果您需要替換電路中的電容卻不知道它的容量,那只能使用萬(wàn)用表或者電橋測(cè)試出它的容量了。


    貼片電容由6個(gè)部分構(gòu)成

    第一部份為:產(chǎn)品規(guī)格。

    第二部份為:溫度特性(又簡(jiǎn)稱材質(zhì))。

    第三部份為:額定電壓。

    第四部份為:額定容量。

    第五部份為:額定容量的允許偏差。

    第六部份為:包裝方式。


    【例】C2012   X7R    1H   102    K     T   0000

    1)   (2)   (3)(4) (5) (6)     (7)

    (單位:mm)

    TDK(代碼)

    額定電壓 L W  T

    1005(C0402)1H,1E,1C,1A  1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05


    1608(C0603)  1H,1E,1C,1A  1.6±0.1    0.8±0.1   0.8±0.1  (0.8+0.15/-0.10)


    2012(C0805)  1H,1E,1C,1A  2.0±0.2    1.25±0.2  0.60±0.15 0.35±0.15  1.25±0.20


    3216(C1206)  1H,1E,1C,1A,OJ  3.2±0.2  1.6±0.2 0.60±0.15  0.85±0.15

    1.15±0.15   1.30±0.20  3.2+0.3/-0.1  1.6+0.3/-0.1         1.60+0.3/-0.1


    3225(C1210)  1H, 1E, 1C  3.2±0.4  2.5±0.3  1.15±0.15  1.60±0.30  2.00±0.30


    4532(C1812)  1H, 1E, 1C  4.5±0.4  3.2±0.4  1.30±0.20  1.60±0.30  2.00±0.30  2.30±0.30


    5750(C2220)  1H, 1E, 1C 5.7±0.4  5.0±0.4   1.60±0.30  2.00±0.30  2.30±0.30  2.80±0.30



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