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電容器的選用方法  

一.選擇合適的型號  

根據(jù)電路要求，一般用于低頻耦合、旁路去耦等，電氣性能要求較低時(shí)，可以采用紙介電容器、電解電容器等。  

晶體管低頻放大器的耦合電容器，選用1～22μF的電解電容器。旁路電容器根據(jù)電路的工作頻率來選，如在低頻電路中，發(fā)射極旁路電容選用電解電容器，容量在10～220μF之間；在中頻電路中，可選用0.01~0.1μF的紙介、金屬化紙介、有機(jī)薄膜電容器等；在高頻電路中應(yīng)選擇高頻瓷介質(zhì)電容器；若要求在高溫下工作，則應(yīng)選玻璃釉電容器等。  在電源濾波和退耦電路中，可選用電解電容器。因?yàn)樵谶@些使用場合，對電容器性能要求不高，只要體積不大，容量夠用就可以了。  

對于可變電容器，應(yīng)根據(jù)電容統(tǒng)調(diào)的級數(shù)，確定應(yīng)采用單聯(lián)或多聯(lián)的可變電容器，然后根據(jù)容量的變化范圍、容量變化曲線、體積等要求確定相應(yīng)品種的電容器。

二.合理確定電容器的容量和誤差  

電容器容量的數(shù)值，必須按規(guī)定的標(biāo)稱值來進(jìn)行選擇。

電容器的誤差等級有多種，在低頻耦合、去耦、電源濾波等電路中，電容器可以±5%、±10%、±20%等誤差等級，但在振蕩回路、延時(shí)電路、音調(diào)控制電路中，電容器的精度要稍高一些；在各種濾波器和各種網(wǎng)絡(luò)中，要求選用高精度的電容器。

第三：耐壓值的選擇  

為保證電容器的正常工作，被選用的電容器的耐值不僅要大于實(shí)際工作電壓，而且還要留有足夠的余地，一般選用耐壓值為實(shí)際工作電壓兩倍以上的電容器。  

第四：注意電容器的溫度系數(shù)，高頻特性等參數(shù)  

在振蕩電路中的振蕩元件、移相網(wǎng)絡(luò)元件、濾波器等，應(yīng)選用溫度系數(shù)小的電容器，以確保其性能。

  貼片電容介紹：

  貼片電容名片式積層電容是一次性高溫?zé)Y(jié)而成的也是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合而成。

  貼片電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡介：

  貼片電容主要包括三大部分：陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極、端電極.其中陶瓷介質(zhì)的主要作用是在電場作用下，極化介電儲(chǔ)能。當(dāng)電場變化時(shí)極化率相應(yīng)發(fā)生變化時(shí)，由于不同介質(zhì)種類的主要極化類型不同，其對電場變化的響應(yīng)速度和極化率也不相同。

  電極分為內(nèi)電極與端電極。其中內(nèi)電極位于貼片電容器內(nèi)部，主要提供電極板正對面積，它與介質(zhì)一般是交替疊放。

  貼片電容是一種小型電容器，它的封裝規(guī)格有0201 0402 0603 0805 1206等幾種，材質(zhì)有X7R Z5U Y5V NPO四種，最常用的是X7R與NPO材質(zhì)。

  今天我們講解貼片電容M檔與Z檔的區(qū)別首先我們要知道M與Z的意思，其中M代表±20%的容量誤差，Z代表正80%負(fù)20%的容量誤差。

  例：0805 10uf電容，如果M檔則表示誤差在8uf-12uf之間浮動(dòng)，Z檔則為8uf-18uf之間浮動(dòng)。

   貼片電容簡介：

  全稱：多層（積層、疊層）片式陶瓷電容器，也稱為貼片電容、片容，英文縮寫：MLCC

   主要規(guī)格尺寸，按英制標(biāo)準(zhǔn)分為：02010402060308051206以及大規(guī)格的1210180818122220222530123035等。

  容量范圍：0.5pF100uF其中，一般認(rèn)為容量在1uF以上為大容量電容。

  額定電壓：從4V4KVDC當(dāng)額定電壓在100V及以上時(shí)，即歸納為中高壓產(chǎn)品。

  片式電容的穩(wěn)定性及容量精度與其采用的介質(zhì)資料存在對應(yīng)關(guān)系，主要分為三大類別。

   貼片電容0805系列厚度一般為0.85或者1.25，但是我司可制造1.0特殊厚度，如有需要請?zhí)崆邦A(yù)訂。

  貼片電容介質(zhì)是以COG/NPO為I類介質(zhì)的高頻電容器，其溫度系數(shù)為±30ppm/℃，電容量非常穩(wěn)定，幾乎不隨溫度、電壓和時(shí)間的變化而變化，主要應(yīng)用于 高頻電子線路，如振蕩、計(jì)時(shí)電路等;其容量精度主要為±5，以及在容量低于10pF時(shí)，可選用B檔(±0.1pF)、C檔(±0.25pF)、D檔 (±0.5pF)三種精度。

 以X7R為II類介質(zhì)的中頻電容器，其溫度系數(shù)為±15，電容量相對穩(wěn)定，適用于各種旁路、耦合、濾波電路等，其容量精度主要為K檔(±10)。特殊情況下，可提供J檔(±5)精度的產(chǎn)品。

 不同品種的電容器，最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內(nèi);圓片型瓷介電容器為300MHZ;圓管型瓷介電容器為200MHZ;圓盤型瓷介可達(dá)3000MHZ;小型紙介電容器為80MHZ;中型紙介電容器只有8MHZ。

  以Y5V為III類介質(zhì)的低頻電容器，其溫度系數(shù)為：+30～-80，電容量受溫度、電壓、時(shí)間變化較大，一般只適用于各種濾波電路中。其容量精度主要為Z檔(+80～-20)，也可選擇±20精度的產(chǎn)品。

   貼片電容介質(zhì)強(qiáng)度表征的是介質(zhì)材料承受高強(qiáng)度電場作用而不被電擊穿的能力,通常用伏特/密爾(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示. 當(dāng)外電場強(qiáng)度達(dá)到某一臨界值時(shí),材料晶體點(diǎn)陣中的電子克服電荷恢復(fù)力的束縛并出現(xiàn)場致電子發(fā)射,產(chǎn)生出足夠多的自由電子相互碰撞導(dǎo)致雪崩效應(yīng),進(jìn)而導(dǎo)致突發(fā)擊穿電流擊穿介質(zhì),使其失效.除此之外,介質(zhì)失效還有另一種模式,高壓負(fù)荷下產(chǎn)生的熱量會(huì)使介質(zhì)材料的電阻率降低到某一程度,如果在這個(gè)程度上延續(xù)足夠長的時(shí)間,將會(huì)在介質(zhì)最薄弱的部位上產(chǎn)生漏電流.這種模式與溫度密切相關(guān),介質(zhì)強(qiáng)度隨溫度提高而下降.