南麟NP2301 20V P溝道增強(qiáng)型MOSFET管
南麟NP2301 20V P溝道增強(qiáng)型MOSFET管
南麟NP2301 20V P溝道增強(qiáng)型MOSFET管
描述
NP2301A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)
提供出色的RDS（ON）、低柵極電荷和
柵極電壓低至1.8V時(shí)運(yùn)行。這
該裝置適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM
應(yīng)用。
一般特征
? VDS=-20V，ID=-2.8A
RDS（開(kāi)啟）（典型）=75米? @VGS=-2.5V
RDS（開(kāi)啟）（典型）=60米? @VGS=-4.5V
? 高功率和電流處理能力
? 獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
? 表面貼裝封裝
應(yīng)用
? PWM應(yīng)用
? 負(fù)荷開(kāi)關(guān)
包裹
? SOT-23-3L
