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FZ1000R33HL3_S2英飛凌IGBT模塊

北京京誠宏泰科技有限公司銷售FZ1000R33HL3_S2英飛凌IGBT模塊

產品詳細信息
Infineon FZ1000R33HL3_S2單開關 IGBT 模塊配有 TRENCHSTOP ? IGBT3和發(fā)射器控制的 3 二極管。此模塊具有高功率密度和 AlSiC 基板，用于提高熱循環(huán)能力。
VCES 為 3300 V
IC 標稱值為 1500 A
ICRM 為 3000 A
它可保持高電流密度

產品特征描述：

1. 提高工作溫度Tvj op
2. 低開關損耗
3. 低 VCEsat
4. Tvj op = 150°C
5. 4 kV 交流 1 分鐘絕緣
6. 封裝的 CTI > 400
7. 高爬電距離和電氣間隙
8. 銅基板
9. UL 認證

產品優(yōu)勢：

IGBT
IGBT是什么？
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
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優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點：擊穿電壓低，工作電流小。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。
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特點：

擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。
IGBT的典型應用
電動機
不間斷電源
太陽能面板安裝
電焊機
電源轉換器與反相器
電感充電器
電磁爐

北京京誠宏泰科技有限公司銷售西門子SIEMENS

6SL3912、6SL3983、6SB2071、6SL3955、6SL3995、避雷器、互感器、電容、晶閘管、IGBT、驅動板
中壓變頻備件器、電源、操作面板、隔離開關、風機及其他系列;GH180羅賓康A1A/ASE(（電路板、控制板、模塊)、LDZ(功率單元、模塊、互感器）等
變頻器等備件 北京京誠宏泰科技有限公司
產品備件;
6SE70變頻器:6SE70驅動/功率/接口板、6SY7000電容、6SY7010晶閘管
SIEMENS 北京京誠宏泰科技有限公司
M440/M430變頻器及備件;
低壓傳動
S120變頻器:IGD A5E控制板﹔6RA直流調速器:6RA80、6RX、6RY17/18等備件。
工業(yè)通訊及 北京京誠宏泰科技有限公司
A5EO8混合電纜;LDS備件A5E002/003等系列;
分析儀 北京京誠宏泰科技有限公司
電源產品
6EP19、6EP13、A5E30947477、A5E31006890、6EP1536-3AA00等系列;
低壓電器
3TC4、3TH4、3RA6、3UG4、3RP2、3RS1、3RN2、3RQ、3RB等系列;
6BK、6DD、6DL、6DP及西門子各類系統軟件等備件;
其他類
ABB變頻器配件 晶閘管可控硅 傳感器 電容 IGBT IGCT 流互感器（ES2000、ESM2000)、

3300V IGBT模塊型號：

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
IGBT模塊FZ1200R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HL3
IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D