日立IGBT模塊MBN800E33D-P地鐵機(jī)車變流器用
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北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；電容；晶閘管；IPM模塊;半導(dǎo)體功率模塊;PLC模塊，風(fēng)機(jī)，傳感器，驅(qū)動(dòng)板，主控板，電源板，變頻器配件
IGBT逆變模塊IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2
IGBT制動(dòng)模塊IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斬波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B
ACM（IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi MBL400E33D3EGM065727R0001
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MBN1200D33A
MBN1200H45E2-H
MBN1500E33E3
MBN1200E25E
MBL800E33C
MBL400E33D
MBL1000E33E-B
MBL1000E33E2-B
MBN800E33D-P
MBN1200E33C
MBN1500E33C
MBN1200D33C
MBN1000GR12A
MBN1200E17D
MBN1200E33D
MBN1200E33E
MBN1500E33E
IGBT模塊
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成。IGBT兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)、UPS不間斷電源等設(shè)備上。
MBN1800D17C
MBN800E33D
MBN800E33E
MDM1200H45E2-H
MBN1200H45E2-H
MDM800E33D
MBN750H65E2
MDM750H65E2
IGBT模塊；單管IGBT模塊；雙管半橋IGBT模塊；4單元H橋IGBT模塊；3單元IGBT模塊；6單元三相全橋IGBT模塊；
三電平IGBT模塊；6500V高壓IGBT模塊；3300V高壓IGBT模塊；4500V高壓IGBT模塊；IPM模塊；PIM模塊；PLC模塊；GTR達(dá)林頓模塊 ；GTO晶閘管；普通晶閘管；北京京誠宏泰科技有限公司
快速晶閘管； 二極管；快恢復(fù)二極管；整流橋；剎車整流器；單相整流橋；三相整流橋；全控整流橋；半控整流橋；可控硅；雙向可控硅；反并聯(lián)可控硅；驅(qū)動(dòng)板；北京京誠宏泰科技有限公司 關(guān)鍵詞
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ABB變頻傳動(dòng)備件；西門子變頻傳動(dòng)/直流調(diào)速備件
如果正輸入電壓通過柵極，發(fā)射極保持驅(qū)動(dòng)電路開啟。另一方面，如果 IGBT 的柵極端電壓為零或略為負(fù)，則會關(guān)閉電路應(yīng)用。
由于 IGBT 既可用作 BJT 又可用作 MOS管，因此它實(shí)現(xiàn)的放大量是其輸出信號和控制輸入信號之間的比率。
對于傳統(tǒng)的 BJT，增益量與輸出電流與輸入電流的比率大致相同，我們將其稱為 Beta 并表示為 β。
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另一方面，對于 MOS管，沒有輸入電流，因?yàn)闁艠O端子是主通道承載電流的隔離。我們通過將輸出電流變化除以輸入電壓變化來確定 IGBT 的增益。
IGBT的典型應(yīng)用電磁爐
PM1500HCR330-1
PM1200HAF450
PM1200HCH330-203
PM1200HCH330-205
PM1200HAH330-205
PM1200HCE330-1
