日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3地鐵機車變流器用

北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3地鐵機車變流器用

北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；電容；晶閘管；IPM模塊;半導體功率模塊;PLC模塊，風機，傳感器，驅動板，主控板，電源板，變頻器配件

什么是IGBT

IGBT是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，是一種三端半導體開關器件，可用于多種電子設備中的高效快速開關。

IGBT主要用于放大器，用于通過脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 切換/處理復雜的波形。

你可以看到輸入側代表具有柵極端子的MOS管，輸出側代表具有集電極和發(fā)射極的BJT。

集電極和發(fā)射極是導通端子，柵極是控制開關操作的控制端子。

IGBT逆變模塊IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2

IGBT制動模塊IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斬波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B

ACM（IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi  MBL400E33D3EGM065727R0001

MBN1200D33A
MBN1200H45E2-H
MBN1500E33E3
MBN1200E25E
MBL800E33C
MBL400E33D
MBL1000E33E-B
MBL1000E33E2-B
MBN800E33D-P
MBN1200E33C 
MBN1500E33C
MBN1200D33C
MBN1000GR12A
MBN1200E17D
MBN1200E33D
MBN1200E33E
MBN1500E33E

IGBT模塊
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成。IGBT兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動、UPS不間斷電源等設備上。

MBN1800D17C
MBN800E33D
MBN800E33E
MDM1200H45E2-H
MBN1200H45E2-H
MDM800E33D
MBN750H65E2
MDM750H65E2

IGBT模塊；單管IGBT模塊；雙管半橋IGBT模塊；4單元H橋IGBT模塊；3單元IGBT模塊；6單元三相全橋IGBT模塊；
三電平IGBT模塊；6500V高壓IGBT模塊；3300V高壓IGBT模塊；4500V高壓IGBT模塊；IPM模塊；PIM模塊；PLC模塊；GTR達林頓模塊 ；GTO晶閘管；普通晶閘管；北京京誠宏泰科技有限公司
快速晶閘管； 二極管；快恢復二極管；整流橋；剎車整流器；單相整流橋；三相整流橋；全控整流橋；半控整流橋；可控硅；雙向可控硅；反并聯(lián)可控硅；驅動板；北京京誠宏泰科技有限公司 關鍵詞
IGBT驅動板；可控硅驅動板；可控硅觸發(fā)板；晶閘管觸發(fā)板； MOSFET管；場效應模塊；電容；直流鋁電解電容；交流濾波電容；啟動電容器；無功補償電容器；北京京誠宏泰科技有限公司 關鍵詞
快熔；延時慢熔；智能功率模塊；智能晶閘管模塊；工業(yè)觸摸屏；操作面板；工控機；變頻器整機及配件；軟啟動器整機及配件；電力調(diào)整器整機及配件；
ABB變頻傳動備件；西門子變頻傳動/直流調(diào)速備件

電磁爐

PM1500HCR330-1
PM1200HAF450
PM1200HCH330-203 
PM1200HCH330-205 
PM1200HAH330-205 
PM1200HCE330-1