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產(chǎn)品簡介
12廣東客戶歡迎訂購【松山】深圳tft液晶顯示屏
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產(chǎn)品價(jià)格:¥1
上架日期:2012-09-05 15:29:13
產(chǎn)地:深圳
發(fā)貨地:深圳
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詳細(xì)說明

    BSBY_f013

    液晶模組第一品牌【松山,彭先生,13316870572】智能液晶顯示終端 液晶模塊 tft屏幕 圖型點(diǎn)陣模塊 深圳lcd液晶模組 lcd液晶屏 lcd液晶模組 

    tft液晶顯示屏的結(jié)構(gòu)  
            通常的a-Si TFT主要由玻璃基板、柵電極、柵絕緣層、半導(dǎo)體活性層a-Si,歐姆接觸層n+a-Si、源漏電極及保護(hù)膜等組成,其中柵絕緣層和保護(hù)膜一般采用SiN。

      a-Si TFT 的結(jié)構(gòu)可分為四種典型結(jié)構(gòu):源、漏、柵三電極位于半導(dǎo)體活性層a-Si同一側(cè)的平面結(jié)構(gòu),其中源、漏、柵三電極位于a-Si層上側(cè)的稱正柵平面結(jié)構(gòu),源、漏、柵三電極位于a-Si層下側(cè)的稱倒柵平面結(jié)構(gòu);源、漏、電極與柵電極位于a-Si層兩側(cè)的交錯(cuò)結(jié)構(gòu),其中柵電極在a-Si層上側(cè),源、漏電極在a-Si層下側(cè)的稱正柵交錯(cuò)結(jié)構(gòu)或頂柵結(jié)構(gòu),柵極在a-Si下側(cè),源、漏電極在a-Si層上側(cè)的稱倒柵交錯(cuò)結(jié)構(gòu)或底柵結(jié)構(gòu)。

      從制造工藝上看,交錯(cuò)結(jié)構(gòu)的SiN,a-Si和n+a-Si三層(或其中二層)可以連續(xù)淀積,適合流水作業(yè),又可減少交叉污染?,F(xiàn)在,交錯(cuò)結(jié)構(gòu)已成為主流,它不僅對a-Si,SiN。n+a-Si可連續(xù)作業(yè),而且倒柵還可以作遮光層(不需另設(shè)遮光層),這對a-Si TFT是重要的,因?yàn)閍-Si對光敏感,一旦有光流入引起漏電流增加,將會導(dǎo)致像質(zhì)惡化。

    tft液晶顯示屏制備工藝:

      首先是在上下基板表面分別涂敷聚酰亞胺膜并通過摩擦工藝,形成可誘導(dǎo)分子按要求排列的取向膜。之后在TFT陣列基板周邊布好密封膠材料,并在基板上噴灑襯墊。同時(shí)在CF基板的透明電極末端涂布銀漿。然后將兩塊基板對位粘接,使CF圖案與TFT像素圖案一一對正,再經(jīng)熱處理使密封材料固化。在印刷密封材料時(shí),需留下注入口,以便抽真空灌注液晶。

      近年來,隨著技術(shù)進(jìn)步和基板尺寸的不斷加大,在盒的制做工藝上也有很大的改進(jìn),比較有代表性的是灌晶方式的改變,從原來的成盒后灌注改為ODF法,即灌晶與成盒同步進(jìn)行。另外.墊襯方式也不再采用傳統(tǒng)的噴灑法

    公司名稱:深圳市松山電子科技有限公司
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