BSBY_f013
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tft液晶顯示屏的結(jié)構(gòu)
通常的a-Si TFT主要由玻璃基板、柵電極、柵絕緣層、半導(dǎo)體活性層a-Si,歐姆接觸層n+a-Si、源漏電極及保護(hù)膜等組成，其中柵絕緣層和保護(hù)膜一般采用SiN。
a-Si TFT 的結(jié)構(gòu)可分為四種典型結(jié)構(gòu)：源、漏、柵三電極位于半導(dǎo)體活性層a-Si同一側(cè)的平面結(jié)構(gòu)，其中源、漏、柵三電極位于a-Si層上側(cè)的稱正柵平面結(jié)構(gòu)，源、漏、柵三電極位于a-Si層下側(cè)的稱倒柵平面結(jié)構(gòu);源、漏、電極與柵電極位于a-Si層兩側(cè)的交錯結(jié)構(gòu)，其中柵電極在a-Si層上側(cè)，源、漏電極在a-Si層下側(cè)的稱正柵交錯結(jié)構(gòu)或頂柵結(jié)構(gòu)，柵極在a-Si下側(cè)，源、漏電極在a-Si層上側(cè)的稱倒柵交錯結(jié)構(gòu)或底柵結(jié)構(gòu)。
從制造工藝上看，交錯結(jié)構(gòu)的SiN，a-Si和n+a-Si三層(或其中二層)可以連續(xù)淀積，適合流水作業(yè)，又可減少交叉污染?，F(xiàn)在，交錯結(jié)構(gòu)已成為主流，它不僅對a-Si，SiN。n+a-Si可連續(xù)作業(yè)，而且倒柵還可以作遮光層(不需另設(shè)遮光層)，這對a-Si TFT是重要的，因為a-Si對光敏感，一旦有光流入引起漏電流增加，將會導(dǎo)致像質(zhì)惡化。
tft液晶顯示屏制備工藝：
首先是在上下基板表面分別涂敷聚酰亞胺膜并通過摩擦工藝，形成可誘導(dǎo)分子按要求排列的取向膜。之后在TFT陣列基板周邊布好密封膠材料，并在基板上噴灑襯墊。同時在CF基板的透明電極末端涂布銀漿。然后將兩塊基板對位粘接，使CF圖案與TFT像素圖案一一對正，再經(jīng)熱處理使密封材料固化。在印刷密封材料時，需留下注入口，以便抽真空灌注液晶。
近年來，隨著技術(shù)進(jìn)步和基板尺寸的不斷加大，在盒的制做工藝上也有很大的改進(jìn)，比較有代表性的是灌晶方式的改變，從原來的成盒后灌注改為ODF法，即灌晶與成盒同步進(jìn)行。另外.墊襯方式也不再采用傳統(tǒng)的噴灑法
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