Flow Technology流量開關(guān)FT6-8J5TA-GGH-9優(yōu)勢供應
上海歐臬自動化優(yōu)勢直銷：Flow Technology放大器，F(xiàn)low Technology流量計，F(xiàn)low Technology流量開關(guān)，F(xiàn)low Technology壓力表等全系列產(chǎn)品。
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Flow Technology流量開關(guān)FT6-8J5TA-GGH-9優(yōu)勢供應
Flow Technology流量計FT-12 NE NB-LEA-2
Flow Technology 流量計 FT6-8AEXBBLEA-5
Flow Technology 流量計 FTO-3NIXB-LHC-5
FLOW TECHnology流量開關(guān)CA04-3-C-0000-9
FLOW TECHnology壓力表FT-12AENSULEA-5
FLOW TECH流量開關(guān)CA03-3-C-0000-9
CNA-83.595.200鈉校準瓶支架Sodium
Flow Technology流量開關(guān)FT6-8J5TA-GGH-9優(yōu)勢供應
歐臬soldo限位開關(guān) SXC4200-2
歐臬soldo定位器 SY1F20010X23A4
歐臬soldo定位器 SF60281-10A11A3
歐臬soldo定位器 SF70221-10A11A3
歐臬soldo定位器 SYC4200-10A23A4
歐臬soldo定位器 SK01200-10X21A3
歐臬soldo定位器 SK01200-20X21A3
歐臬soldo定位器 SX1F200-10X31A3
歐臬soldo定位器 SF39281-20A11A3
歐臬soldo定位器 SB0120
歐臬soldo定位器 SP012H0-1
歐臬soldo定位器 SY01200-7
歐臬soldo定位器 IF70221-1
歐臬soldo定位器 SW-01-2-0-0-2
歐臬soldo定位器 SW0120E-2
歐臬soldo定位器 SK01200-2
歐臬soldo定位器 SY01400-7-21200
歐臬soldo定位器 SYN1400-7-21200
歐臬soldo定位器 SB18401-2
歐臬soldo定位器 SYC4200-70X23A4
歐臬soldo定位器 SF03200-1
歐臬soldo定位器 SIA39281-1LT
歐臬soldo定位器 SXC4200-2
Flow Technology流量開關(guān)FT6-8J5TA-GGH-9優(yōu)勢供應
零點校準閥CNA-82.511.010適用于硅表和磷表個
電磁閥備件CNA-82.519.020適用于硅表和磷表；包含：墊片、彈簧及玻璃棒套
通道切換閥CNA-82.541.010適用于硅表和磷表個
磷標準液CNA-85.143.400僅適用于磷表；1000ppm，100ml瓶
試劑管CNA-86.190.011適用于硅表和磷表；4根，含試劑管過濾頭套
虹吸管、排氣管CNA-86.190.012適用于硅表和磷表；5根套
通道切換閥管路CNA-86.190.014適用于硅表和磷表；6根套
鈉測量電極CNA-87.720.010適用于所有型號的鈉表支
鈉參比電極CNA-87.840.100適用于所有型號的鈉表支
鈉pH電極CNA-87.150.100僅適用于AMI Sodium P/A型鈉表支原因是因為如果交流信號測量數(shù)據(jù)的間隔如果與信號周期不同步的話，相當于測試的數(shù)據(jù)是非整周期，那么計算的結(jié)果也將不準確。功率分析儀檢測和計算信號的周期是同步源來決定的，所以選擇準確的同步源對測試結(jié)果非常關(guān)鍵。同步源選擇的原則是盡可能的選擇接近正弦波的信號，比如電網(wǎng)工頻電我們一般選擇電壓為同步源，又如電機驅(qū)動輸出的PWM信號，我們可以選擇電流做同步源。PLL源的選擇除了同步源信號對測量數(shù)據(jù)有很大影響以外，我們在做諧波分析設(shè)置時，還有一個非常關(guān)鍵的源——PLL源。
鈉活化液包CNA-87.729.010含1瓶100ml液體和1瓶少量固體套
鈉電解液CNA-87.892.400用于鈉參比電極；100ml瓶
鈉標準液CNA-85.141.400100ml瓶
鈉溫度電極CNA-87.027.020適用于所有型號的鈉表
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PID（PotentianInducedDegradation）是一種電勢誘導衰減現(xiàn)象，是指組件長期在高電壓下使得玻璃，封裝材料之間存在漏電流，大量電荷聚集在電池表面。使得電池表面的鈍化效果惡化，導致填充因子（FF），短路電流（Isc），開路電壓（Voc）降低，使得組件的性能低于設(shè)計標準，發(fā)電能力也隨之下降。2010年，NREL和Solon證實了無論組件采取何種技術(shù)的P型晶硅電池，組件在負偏壓下都有PID的風險。
