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產(chǎn)品簡介
FF1000R17IE4 英飛凌IGBT模塊 1000A/1700V
FF1000R17IE4 英飛凌IGBT模塊 1000A/1700V
產(chǎn)品價格:¥10
上架日期:2021-11-02 16:31:35
產(chǎn)地:全國全國
發(fā)貨地:湖北武漢市
供應(yīng)數(shù)量:不限
最少起訂:1只
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詳細(xì)說明
    產(chǎn)品作用和特性
    英飛凌FF1000R17IE4是帶有溫度檢測NTC的PrimePACK?3封裝模塊, IGBT4模塊仍采用溝槽柵和場終
    止技術(shù)的**組合,即TrenchstoplGBT4芯片和其反并聯(lián)續(xù)流二*管芯片, 按低、中、高三個功率段的應(yīng)用
    特點分別在開關(guān)損耗、通態(tài)損耗、開關(guān)軟特性方面進(jìn)一步優(yōu)化。英飛凌FF1000R17IE4主要運用在三E電平
    應(yīng)用、輔助逆變器、大功率變流器、電機傳動、風(fēng)力發(fā)電機等I業(yè)電子設(shè)備中。
    經(jīng)過優(yōu)化的高功率igbt4是英飛凌所提供的一款軟化度很好的溝槽電場截止元件,-個較小的柵電阻就能控
    制標(biāo)稱值高達(dá)3600a的大電流。由于在工作時使用了有源柵控,使得在800v的直流鏈電壓下,總的關(guān)斷損
    耗(在整個工作范圍內(nèi)的總和)降低了5%,并且通過改進(jìn)的二*管也減小了開啟損耗(~20%)??紤]到工作溫
    度有25°C的增加,這意味著在散熱器相同的情況下,逆變器的輸出功率大約比igbt3模塊增加了20%。
    英飛凌FF1000R17IE4機械特性
    封裝的CTl>400
    高爬電距離和電氣間隙
    高功率循環(huán)和溫度循環(huán)能力
    高功率密度
    銅基板
    標(biāo)封裝
    基本參數(shù): 1000A/1700V/2U封裝: PrimePACK3
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