半導體隨機存儲器專用HD減速機CSD-17-50-2A-GRsemi-conductor memory)是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器，內存儲器就是由稱為存儲器芯片的半導體集成電路組成。按其功能可分為:隨機存取存儲器(簡稱RAM)和只讀存儲器(只讀ROM)。體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路接口容易。
按功能分類
按其功能可分為:半導體隨機存儲器專用HD減速機CSD-17-50-2A-GR簡稱RAM)和只讀存儲器(只讀ROM)
RAM包括DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)，當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內存的主體部分)，SRAM主要用于高速緩存存儲器。
ROM 主要用于BIOS存儲器。
按制作工藝分類
半導體隨機存儲器專用HD減速機CSD-17-50-2A-GR按存儲原理分類
可分為:靜態(tài)和動態(tài)兩種。
優(yōu)點
體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路接口容易。
缺點
半導體隨機存儲器專用HD減速機CSD-17-50-2A-GR和磁芯存儲器不同的是，半導體存儲器屬于易失性存儲器(Volatile Memory)，在電源中斷時會使數(shù)據(jù)消失，如RAM(Random Access Memory)。
主要有:
1. 存儲容量:存儲單元個數(shù)M×每單元位數(shù)N
2. 存取時間:從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間
4. 平均故障間隔時間MTBF(可靠性)
5. 功耗:動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗
