特點及用途：
前端預熱雙溫區(qū)滑軌PECVD BTF-1200C-II-SL-400C是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學反應，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術。通過反應氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式,低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點，工藝流程簡單。
前端預熱雙溫區(qū)滑軌PECVD BTF-1200C-II-SL-400C配有前端預加熱爐，輔助固態(tài)源蒸發(fā)，后端為單溫區(qū)加熱爐 ，溫度控制精確，操作簡便，對于氣相沉積，二維材料，等離子處理生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。
前端預熱雙溫區(qū)滑軌PECVD BTF-1200C-II-SL-400C：
1.與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長溫度更低。
2.使用滑軌爐實現(xiàn)快速升溫和降溫。
3.設備特有的zhuan利技術使得整管輝光均勻等效，均勻生長
1.加熱系統(tǒng)
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zui高溫度 |
1200℃ |
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使用溫度 |
≤1100℃ |
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爐膛有效尺寸 |
Φ50mm（爐管直徑可根據(jù)實際需要定制） |
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爐膛材料 |
氧化鋁、高溫纖維制品 |
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熱電偶類型 |
K型熱電偶 |
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控溫精度 |
±1℃ |
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控溫方式 |
30段可編程控溫，PID參數(shù)自整定 |
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加熱長度 |
200+200mm |
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恒溫長度 |
100+100mm |
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加熱原件 |
電阻絲 |
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供電電源 |
單相，220V，50Hz |
2、預熱系統(tǒng)系統(tǒng)
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zui高溫度 |
400℃ |
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爐膛有效尺寸 |
Φ50mm（爐管直徑可根據(jù)實際需要定制） |
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爐膛材料 |
氧化鋁、高溫纖維制品 |
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熱電偶類型 |
K型熱電偶 |
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控溫精度 |
±1℃ |
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控溫方式 |
30段可編程控溫，PID參數(shù)自整定 |
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加熱長度 |
100mm |
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加熱原件 |
電阻絲 |
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額定功率 |
800W |
3、PE系統(tǒng)
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功率輸出范圍 |
0W~500W |
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zui大反射功率 |
100W |
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射頻輸出接口 |
50 Ω, N-type, female |
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功率穩(wěn)定度 |
≤5W |
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諧波分量 |
≤-50dbc |
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供電電壓 |
單相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ |
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整機效率 |
>=70% |
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功率因素 |
>=90% |
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冷卻方式 |
強制風冷 |
4、三路質(zhì)子流量控制系統(tǒng)
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連接頭類型 |
雙卡套不銹鋼接頭 |
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標準量程（N2) |
50sccm，100sccm、500sccm （可根據(jù)用戶要求定制） |
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準確度 |
±1.5%F.S |
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線性 |
±1%F.S |
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重復精度 |
±0.2%F.S |
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響應時間 |
氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec |
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工作壓差范圍 |
0.1～0.5 MPa |
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zui大壓力 |
3MPa |
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接口 |
Φ6,1/4'' |
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顯示 |
4位數(shù)字顯示 |
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工作環(huán)境溫度 |
5~45高純氣體 |
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壓力真空表 |
－0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格 |
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截止閥 |
Φ6 |
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內(nèi)外雙拋不銹鋼管 |
Φ6 |
5、低真空機組
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空氣相對濕度 |
≤85% |
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工作環(huán)境 |
5℃～40℃ |
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工作電電壓 |
280V |
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抽氣速率 |
32m3/h |
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極限真空 |
5X10-1Pa（空載冷態(tài)） |
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工作壓力范圍 |
1.01325X105～1.33X10-2Pa |
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耐壓值 |
0.03MPa |
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進氣口口徑 |
KF40 |
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排氣口口徑 |
KF40 |
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連接方式 |
采用波紋管，手動擋板閥與波紋管相連 |
